大盘分析
隔夜美股突然崩盘，纳指重挫4.96%，创了近3个月以来的最大跌幅，持续新高的科技股带头翻车，苹果跌8.01%，特斯拉跌9%。
暴跌的原因，表面上是财政一直没有出台影响市场信心，但本质上，类似昨天的A股调味品调整，就是泡沫过程里的回调。
在美-的拖累下，A股也没能独善其身，早盘指数低位窄幅震荡，沪指跌1.38%，创业板指跌1.69%。
盘面上，白酒、食品等高位消费股暴跌，氮化镓为首的半导体概念逆市大涨。
热点板块
1、消费股
昨天调味品龙头海天味业高位放量暴跌，引发了抱团资金的恐慌。
早盘消费股全线大跌，领跌的主要是前期涨幅较大，高位的食品饮料和部分医药股，杀跌的主要原因，就是太贵了。
这种慢涨急跌不会轻易扭转趋势的惯性，但消费股大概率要震荡一段时间来消化估值了。
大消费中抱团资金动摇，对市场不一定是坏事，因为资金还会在场内寻找其他投资机会，早盘一部分资金选择流入科技方向，毕竟科技股已经调整了很久。
今天重点聊聊天第三代半导体概念，什么是第三代半导体概念？
①据彭博消息，中国计划把大力发展第三代半导体产业写入十四五规划中。10月召开的五中全会就会制定十四五规划。
②目前最主流的第三代半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），前者用于5G高频，后者用于新能源汽车，特斯拉已经启用。
③独家梳理最全概念股名单。
据彭博消息，中国计划把大力发展第三代半导体产业写入十四五规划中。10月召开的五中全会就会制定十四五规划。原文描述更有意思，要和搞原子弹一样搞芯片，可以理解这个“大力”到底是什么程度了。
1、两个主流的第三代半导体材料
今年2月13日，小米发布氮化镓充电器Type-C65W，发售首日即售罄，这可以看作是氮化镓充电市场被引爆的标志。随后几个月，各大厂商纷纷“跟风”，把“氮化镓”“快充”等概念作为造势卖点。
4月8日，华为发布一款功率同为65W的氮化镓充电器，支持Type-C和A双口模式，能给手机和平板充电。
7月15日，OPPO发布一款50Wmini氮化镓充电器，厚度仅10mm，外形酷似“饼干”。
▲小米发布氮化镓充电器Type-C65W
今年以来，新能源汽车利好政策频出，与之相伴的是小鹏、宁德时代、理想、蔚来等电动汽车品牌日益频繁地出现在人们视野。另一种代表性第三代半导体材料碳化硅乘上了这一股“东风”。
用碳化硅材料制造的汽车电子功率器件，能够降低车载充电系统、主驱动系统等的能耗，与“新能源”的市场需求“不谋而合”。按照汽车终端市场计算，到年，碳化硅总市场容量有望超过10亿美元。
除了能用于制作汽车用功率电子，碳化硅材料还是5G芯片的最理想的衬底。近一两年来，5G建设成为热潮。今年6月6日，中国铁塔副总经理张权曾表示，中国铁塔已经累计建成5G基站25.8万个，共享率达到97%！某种意义上说，碳化硅晶片就是5G基站的心脏。
目前，中国对第三代半导体产业的建设也在加码。今年7月20日，投资亿元、占地面积亩的“三安光电第三代半导体产业园”，在长沙高新区启动开工建设。该产业园主要用于建设具自主知识产权的碳化硅衬底、外延、芯片及封装产业生产基地，也将建设我国首条碳化硅全产业链产线，这也意味中国迈出了第三代半导体材料“全自研”过程中的的一步。
▲三安光电股份有限公司关于签署《项目投资建设合同》的公告
5G、智慧交通、新能源已经成为全球发展的方向，而碳化硅、氮化镓的市场潜力还远未被全部挖掘。
据市场分析机构赛迪顾问统计，年在射频器件领域氮化镓占比超过30%，氮化镓市场规模约5.6亿美元；到年，氮化镓在射频器件领域占比有望超过50%，市场规模有望冲破30亿美元。
碳化硅方面，年全球碳化硅市场规模约5.4亿美元，在年有望达到30亿美元，汽车市场将成为碳化硅市场规模增长的重要驱动力。
当今信息产业的基石仍是硅基芯片，据市场分析机构前瞻产业研究院统计，全球晶圆材料市场中，硅材料占据95%的份额，其重要性不言而喻。
但实际上，最初晶体管并不是用硅材料制造的；而近些年来，对非硅基、非纯硅半导体材料的探索也从未停止。
如同当初顺应移动通信潮流，以直接带隙为特点、光电性能优越的第二代半导体材料成为热潮；当今具备宽禁带特点、高温、抗辐射、抗高压的第三代半导体材料顺应5G通信、新能源、光电转换的市场需求，市场热度日益高涨。
▲三代半导体材料应用领域对比
在第三代半导体材料中，碳化硅、氮化镓技术较为成熟，也成为市场布局的重点，其余的金刚石、氧化锌、氮化铝等材料还处于研究起步阶段。
第三代半导体材料普遍都具有宽禁带（禁带宽度Eg2.3eV）、高击穿电场、较大的电子饱和速度和抗辐射能力等特点。其中，禁带宽度大于2.3eV是第三代半导体材料最为典型的特点，也是碳化硅、氮化镓某些性能优于硅材料的主要原因。
▲第三代半导体材料性能参数对比
禁带大小主要与半导体的能带结构（即晶体结构和原子的结合性质等）有关，宽禁带半导体材料一般具有比硅高得多的临界雪崩击穿电场强度和载流子饱和漂移速度、较高的热导率和相差不大的载流子迁移率，这意味着宽禁带半导体材料比硅材料的耐高压能力、导热性、热稳定性、抗辐射能力更强。
在禁带宽度以外，碳化硅和氮化镓在其他材料性能方面还有一些差异，这导致氮化镓和碳化硅在应用落地领域上各有侧重。
具体来说，碳化硅材料的热导率更高，在高功率、高温和V以上的大电力领域中具备更大的应用潜力，比如智能电网、交通、新能源汽车、光伏、风电等领域；
氮化镓材料电子迁移率较高，适合在高频率、V以下的高频小电力领域中应用，有三大应用方向，分别是射频、光电、电力电子器件。
与硅材料相似，碳化硅、氮化镓材料产业链可分为以下环节：衬底、外延片、器件制造。
①氮化镓（GaN）
主流应用：主要运用在军事和5G高频，目前炒得最热的是GaN在电源设备的应用还包括手机的快速充电及无线充电等。
竞争格局：目前知名厂商集中海外，我国企业尚未进入供给端第一梯队。国内企业主要包括苏州纳维和东莞中镓，外延企业主要包括晶湛半导体和苏州能讯，都是非上市公司。
②碳化硅：
主流应用：第三代材料SiC等作为功率半导体技术演进的方向之一，现在6寸已经出来了，8寸也就少量出来，特斯拉已经开始用了。
竞争格局：
国内方面，华润微、中车时代半导体等重点布局第三代半导体。华为旗下的哈勃科技在年8月份投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%，而山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
2、第三代半导体哪些环节最受益？
第三代半导体有一个特点，它不是摩尔定律，是后摩尔定律，它的线宽都不是很小的，设备也不是特别的贵，但是它的材料不容易做，设计上要有优势。
材料端：
有研新材：目前有研光电拥有60万片/年的GaAs衬底产能。
云南锗业：公司GaAs单晶片产能为80万片/年（折合4英寸）。
设计端：
闻泰科技：收购的安世GaN功率器件已通过车规级认证，开始向客户供货，SiC技术研发进展顺利
斯达半岛：正在进行第三代IGBT芯片的研发，并成功研发量产SiC模块。
制造端：
三安光电：国内第三代化合物半导体主要制造商，已取得国内重要客户的合格供应商认证。
海特高新：已建成国内首条6寸化合物半导体商用生产线。
接下来是伽霓为大家梳理的概念名单：