实验发现生长WSe2二硒化钨连续大面积薄膜除了使用蓝宝石衬底以外，还可以通过调控
我们在此条件下，调控生长时间从5min到25min，步长为5min。如图3-22(a)
所示，当生长时间为5min时，基片上出现大量的二硒化钨单晶。通过观察低倍光学
照片发现许多二硒化钨拼接在一起，并在晶界处有双层二硒化钨生长；观察高倍光
学照片和荧光照片发现二硒化钨单晶不是一个干净的正三角形，在边缘出现许多“毛
刺”和表面出现许多小点，尺寸在μm左右。这是因为大量的氢气引入，在加快
二硒化钨生长的过程中，还因为氢气的腐蚀使二硒化钨边缘出现了一些缺陷加速
WSe2横向生长。如图3-22(b)所示，当生长时间为10min时，可以看到大面积连
续的二硒化钨薄膜，尺寸为1cm×1cm。通过高倍光学照片和对应的荧光照片发现薄
膜质量比较均匀，单晶尺寸为μm左右，但在晶界处有少量的多层二硒化钨生长。
如图3-22(c)、(h)和(m)所示，反应时间为15min时，在单层WSe2薄膜表面
可以观察到大量的形核点，开始生长二层二硒化钨。这是因为生长时间增加，氢
气腐蚀薄膜表面，引入大量缺陷，由晶体学可知，晶体在缺陷处容易形核长大。如
图3-22(d)和(e)所示，继续增加生长时间，双层二硒化钨的覆盖率增加，其中
生长时间为25min时，双层二硒化钨基本形成连续大膜，只有少量的空隙没有生长。
研究生长过程发现此方法生长的双层连续大膜的生长方式为生长完一层后再生长
二层，而不是由双层二硒化钨单晶拼接形成。
其中在SiO2/Si衬底生长出单层和双层二硒化钨大膜。并通过拉曼、光致发光谱、AFM和XPS对单层和双层WSe2大膜进行表征。测得单层WSe2大膜的PL峰值为1。59eV，厚度为0。76nm；双层WSe2大膜的PL峰值为1。55eV，厚度为1。66nm。并对双层WSe2薄膜进行XPS表征，W4f7/2和W4f5/2两个特征峰，其峰位分别位于32。82eV和41。16eV，Se2d5/2和Se2d3/2两个特征峰峰位分别为55。17eV和57。68eV。
其他量子点：
牛血清白蛋白包裹ZnS量子点(BSA-ZnSQDs)
3-巯基丙酸包裹ZnS量子点(MPA-ZnSQDs)
γ-环糊精-叶酸包合物(γ-CD/FA)修饰CdSe/ZnS量子点(QDs)纳米
链霉亲和素修饰CdSe/ZnS量子点
环糊精修饰CdSe/ZnS量子点
氨基修饰水溶性CdSe/ZnS量子点
二氧化硅修饰水溶性Cdse/ZnS荧光量子点
聚苯乙烯修饰CdSe/ZnS荧光量子点
以上资料来自小编axc,.03.07