通过控制靶材中硅片的含量和热处理温度，可以调控硅量子点尺寸的大小。对于镶嵌在二氧化硅中的硅量子点，硼、磷掺杂基本不影响硅量子点的晶体结构和形状。这主要是由于制备的硅量子点的掺杂浓度较低，虽然其理想掺杂浓度超过了硼、磷原子在硅中的固溶度，图1.11为未掺杂、0。59at。%和5。43at。%理想硼掺杂的硅量子点的透射电子显微镜图像。可以看到，未掺杂的硅量子点基本呈椭圆形分布在二氧化硅介质中。掺硼以后硅量子点仍具有金刚石结构，但其形状分布变得更为离散。当掺硼浓度达到5。43at%时，出现了许多呈三角形、四边形分布的硅量子点，同时硅量子点)晶面间距由0。nm减小到0。nm。
其他量子点：
聚乙烯吡咯烷酮(PVP)表面修饰硫化镉(CdS)半导体量子点（PVP/CdS）
聚乙烯吡咯烷酮/硫化镉量子点（PVP/CdS）
聚乙烯亚胺修饰氧化锌量子点最佳激发(激发波长为nm)发射黄绿色荧光(最佳发射波长为nm)
抗氧化石墨烯量子点改性质子交换膜
壳聚糖席夫碱改性石墨烯量子点
壳聚糖修饰ZnO量子点
蓝色荧光碳量子点修饰超疏水材料
离子液体碳糊电极(CILE)表面修饰GQDs(Nafion/Hb/GQDs/CILE)
量子点改性PLA功能材料
量子点修饰TiO2/SiO2/Fe3O4纳米粒子
量子点修饰金属有机骨架嵌入碳纳米管内复合材料(QD/UMCM1
CNT)以上资料来自小编axc,.03.15