（报告出品方/作者：财通证券，张益敏）
1.刻蚀是集成电路制造关键环节，复杂工艺构筑行业壁垒
1.1.刻蚀是雕刻芯片的精准手术刀
集成电路（integratedcircuit）是采用多种工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，实现所需电路功能的微型结构。现代集成电路按功能划分，主要可以分为存储器，处理器，逻辑IC，模拟IC四大类。
完整的集成电路的制造过程通常分为前道晶圆制造（Front-End）与后道封装（BackEnd）两个部分。传统封装（后道）测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋成型和终测等8个主要步骤。与前道晶圆制造相比，后道封装相对简单，对工艺环境、设备和材料的要求较低。前道晶圆制造的复杂程度要远超后道封装，主要涉及光刻，刻蚀，薄膜沉积，显影涂胶，清洗，掺杂氧化扩散，量测等工艺。其中刻蚀与光刻及薄膜沉积一起，并列为晶圆制造最重要的三大工艺之一。
集成电路的构造并非简单的平面图形，而是一层层构造叠加起的立体结构。其中，刻蚀作为核心工艺之一的作用，是通过物理及化学的方法，在晶圆表面的衬底及其他材料上，雕刻出集成电路所需的立体微观结构，将前道掩模上的图形转移到晶圆表面。在刻蚀新形成的结构上，可以进行2、SiN介质薄膜沉积或金属Al，Cu，W薄膜沉积，也可以进行多重曝光或下一刻蚀步骤，最终在各个层形成正确图形，并使得不同层级之间适当连通，形成完整的集成电路。
刻蚀设备的重要性不断升高。这是由于光刻设备受到光源波长（DUV的nm或EUV的13.5nm）的限制，分辨率有一定极限；当晶体管微缩到一定尺寸之后，单纯依靠光刻机的精确度推进工艺进步已经非常困难。刻蚀步骤的设备，工艺，核心零部件的行业壁垒很高。这主要是因为：（1）刻蚀作为图形转移的关键步骤，其所需要雕刻出的结构形态各异；（2）刻蚀步骤需要在不同的材质表面进行，其所涉及的工艺方法相差较大；（3）刻蚀作为主要步骤，占用了大量工艺时间和厂房空间，其生产效率和良率，对产线的效率影响很大；（4）刻蚀步骤需要射频源，气路，电极，冷热源，真空等多个子系统的精确流畅配合，这需要大量的工艺数据积累。
集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限。NAND闪存已进入3D时代，目前层3DNAND闪存已进入量产阶段，层和层以上的闪存芯片正逐步放量。3DNAND制造工艺中，增加集成度的方法不再是缩小单层的线宽，而是增加堆叠的层数。逻辑与DRAM集成电路也已遇到物理因素限制，3D化设计雏形开始浮现。3D化集成电路对刻蚀设备提出了更高的要求。
1.2.刻蚀方法从湿法到干法的演变
80年代以后，随着集成电路制程的升级，及芯片结构尺寸的不断缩小，湿法刻蚀在线宽控制，刻蚀方向性方面的局限性渐渐显现，并逐步被干法刻蚀取代。湿法刻蚀目前多用于回刻蚀，特殊材料层的去除，残留物的清洗。
1.2.1.湿法刻蚀的技术应用
湿法刻蚀是较为原始的刻蚀技术，利用溶液与薄膜的化学反应去除薄膜未被保护掩模覆盖的部分，从而达到刻蚀的目的。其反应产物必须是气体或可溶于刻蚀剂的物质，否则会出现反应物沉淀的问题，影响刻蚀的正常进行。通常，使用湿法刻蚀处理的材料包括硅，铝和二氧化硅等。
1）硅的湿法刻蚀
一般采用强氧化剂对硅进行氧化，然后利用氢氟酸与二氧化硅反应，去除掉二氧化硅，达到刻蚀硅的目的。最常用的刻蚀溶剂是硝酸与氢氟酸和水的混合液。此外，也可以使用含KOH的溶液进行刻蚀。
2）二氧化硅的湿法刻蚀
二氧化硅的湿法刻蚀可以使用氢氟酸（HF）作为刻蚀剂，但是在反应过程中会不断消耗氢氟酸，从而导致反应速率逐渐降低。为了避免这种现象的发生，通常在刻蚀溶液中加入氟化铵作为缓冲剂，形成的刻蚀溶液称为BHF。氟化铵通过分解反应产生氢氟酸，维持氢氟酸的恒定浓度。
3）氮化硅的湿法刻蚀
氮化硅是一种化学性质比较稳定的材料，它在半导体制造中的作用，主要是作为遮盖层，以及完成主要流程后的保护层。湿法刻蚀大多用于整层氮化硅的去除，对于小面积刻蚀，通常选择干法刻蚀。
4）铝的湿法刻蚀
集成电路中，大多数电极引线都由铝或铝合金制成。铝刻蚀的方法很多，生产上常用加热的磷酸，硝酸，醋酸以及水的混合溶液。硝酸的作用主要是提高刻蚀速率，醋酸用来提高刻蚀均匀性的。
1.2.2.干法刻蚀技术的运用
随着集成电路的发展，湿法刻蚀呈现出以下局限：不能运用3微米以下的图形；湿法刻蚀为各向同性，容易导致刻蚀图形变形；液体化学品潜在的毒性和污染；需要额外的冲洗和干燥步骤等。
干法刻蚀技术的出现解决了湿法刻蚀面临的难题。干法刻蚀使用气体作为主要刻蚀材料，不需要液体化学品冲洗。干法刻蚀主要分为等离子刻蚀，离子溅射刻蚀，反应离子刻蚀三种，运用在不同的工艺步骤中。1）等离子体刻蚀是将刻蚀气体电离，产生带电离子，分子，电子以及化学活性很强的原子（分子）团，然后原子（分子）团会与待刻蚀材料反应，生成具有挥发性的物质，并被真空设备抽气排出。
根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀。电容性等离子体刻蚀主要处理较硬的介质材料，刻蚀高深宽比的通孔，接触孔，沟道等微观结构。电感性等离子体刻蚀，主要处理较软和较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。
2）反应离子刻蚀（ReactiveIonEtchingRIE）通过活性离子对衬底进行物理轰击，同时进行化学反应。它综合溅射刻蚀和等离子刻蚀，同时兼有各向异性和选择性好的优点。先用离子轰击将刻蚀材料表面，将原子键破坏使化学反应增强，再将沉积于被刻蚀物表面的产物打掉。
3）离子束溅射刻蚀又称离子束刻蚀或离子铣。与主要依赖化学反应的等离子体刻蚀系统不同，离子束刻蚀是一个物理工艺。晶圆在真空反应室内被置于固定器上，向反应室导入氩气流；氩气受到从一对阴阳极来的高能电子束流的影响，氩原子被离子化，变为带正电荷的高能状态，被吸向固定器。当氩原子向晶圆固定器移动时，它们会加速冲击暴露的晶圆层，并将晶圆表面轰击掉一小部分。
1.3.硅、金属、介质，CCP与ICP，多种刻蚀工艺互相配合
金属刻蚀主要用于金属互连线铝合金刻蚀，制作钨塞；介质刻蚀主要用于制作接触孔，通孔，凹槽；硅刻蚀主要用于制作栅极和器件隔离沟槽。介质刻蚀一般为电容耦合等离子体刻蚀机；硅，金属刻蚀一般为电感耦合等离子体刻蚀机。
1.3.1.CCP刻蚀与ICP刻蚀的区别
1）电容耦合等离子体(CapacitivelyCoupledPlasma)刻蚀
电容耦合等离子体刻蚀（CCP）是通过匹配器和隔直电容把射频电压加到两块平行平板电极上进行放电而生成的，两个电极和等离子体构成一个等效电容器。这种放电是靠欧姆加热和鞘层加热机制来维持的。由于射频电压的引入，将在两电极附近形成一个电容性鞘层，而且鞘层的边界是快速振荡的。当电子运动到鞘层边界时，将被这种快速移动的鞘层反射而获得能量。电容耦合等离子体刻蚀常用于刻蚀电介质等化学键能较大的材料，刻蚀速率较慢。
2）电感耦合等离子体ICP(InductivelyCoupledPlasma)刻蚀
电感耦合等离子体刻蚀(ICP)的原理，是交流电流通过线圈产生诱导磁场，诱导磁场产生诱导电场，反应腔中的电子在诱导电场中加速产生等离子体。通过这种方式产生的离子化率高，但是离子团均一性差，常用于刻蚀硅，金属等化学键能较小的材料。电感耦合等离子体刻蚀设备可以做到电场在水平和垂直方向上的独立控制，可以做到真正意义上的De-couple，独立控制plasma密度以及轰击能量。
1.3.2.单晶硅刻蚀
单晶硅刻蚀用于形成浅沟槽（STI），电容器的深沟槽。单晶硅刻蚀包括两个工艺过程:突破过程和主刻蚀过程，突破过程使用SiF4和NF气体，通过强离子轰击和氟元素化学作用移除单晶硅表面的氧化层；主刻蚀则一般采用溴化氢（HBr）为主要刻蚀剂，溴化氢在等离子体中分解释放溴元素自由基,这些自由基和硅反应形成具有挥发性的四溴化硅（SiBr4）。单晶硅刻蚀通常采用电感耦合等离子体刻蚀的刻蚀机。
1.3.3.多晶硅刻蚀
多晶硅刻蚀是最重要的刻蚀工艺之一,因为它决定了晶体管的栅极，而对栅极尺寸的控制很大程度上决定了集成电路的性能。多晶硅的刻蚀要有很好的选择比。通常选用卤素气体，氯气可实现各向异性刻蚀并且有很好的选择比（可达到10:1）；溴基气体可得到:1的选择比；HBr与氯气，氧气的混合气体，则可以提高刻蚀速率。而且卤素气体与硅的反应产物沉积在侧墙上，可起到保护作用。多晶硅刻蚀通常采用电感耦合等离子体刻蚀的刻蚀机。
1.3.4.金属刻蚀
金属刻蚀主要是互连线及多层金属布线的刻蚀，刻蚀的要求是：高刻蚀速率（大于0nm/min）；高选择比，对掩盖层大于4:1，对层间介质大于20:1；高的刻蚀均匀性；关键尺寸控制好；无等离子体损伤；残留污染物少；不会腐蚀金属等。金属刻蚀通常采用电感耦合等离子体刻蚀的刻蚀机。
1）铝的刻蚀
铝是半导体制备中最主要的导线材料，具有电阻低，易于沉积和刻蚀的优点。刻蚀铝，是利用氯化物气体所产生的等离子体完成的。铝和氯反应产生具有挥发性的三氯化铝（AlCl3），随着腔内气体被抽干。一般情况下，铝的刻蚀温度比室温稍高（例如70℃），AlCl3的挥发性更佳，可以减少残留物。除了氯气外，铝刻蚀常将卤化物加入，如SiCl4，BCl3，BBr3，CCl4，CHF3等，主要是为了去除铝表面的氧化层，保证刻蚀的正常进行。
2）钨的刻蚀
在多层金属结构中，钨是用于孔填充的主要金属，其他的还有钛，钼等。可以用氟基或氯基气体来刻蚀金属钨，但是氟基气体（SiF6，CF4）对氧化硅的选择比较差，而氯基气体（CCl4）则有好的选择比。通常在反应气体中加入氮气来获得高的刻蚀胶选择比，加入氧气来减少碳的沉积。用氯基气体刻蚀钨可实现各向异性刻蚀和高选择比。干法刻蚀钨使用的气体主要是SF6，Ar及O2，其中，SF6在等离子体中可被分解，以提供氟原子和钨进行化学反应产生氟化物。
3）氮化钛刻蚀
氮化钛硬掩膜取代传统的氮化硅或氧化层掩膜，用于双大马士革刻蚀工艺。传统掩膜和低k介电层之间的选择比不高，会导致在刻蚀完成后出现低k介电层顶部圆弧状轮廓以及沟槽宽度扩大，沉积形成的金属线之间的间距过小，容易发生桥接漏电或直接击穿。氮化钛刻蚀通常运用于硬掩膜开孔的过程中，主要反应产物为TiCl4。
1.3.5.介质刻蚀
介质刻蚀以二氧化硅，氮化硅等电介质为主要刻蚀对象,被广泛应用在芯片制造中。电介质刻蚀主要用于形成接触孔和通道孔，用以连接不同的电路层级。此外，介质刻蚀覆盖的工艺步骤还有硬式遮蔽层刻蚀和焊接垫刻蚀（部分）。介质刻蚀通常采用电容耦合等离子体刻蚀原理的刻蚀机。
1）二氧化硅膜的等离子刻蚀
二氧化硅膜的刻蚀通常采用含有氟化碳的刻蚀气体，如CF4，CHF3，C2F6，SF6和C3F8等。刻蚀气体中所含的碳可以与氧化层中的氧产生副产物CO及CO2，从而去除氧化层中的氧。CF4是最常用的刻蚀气体，当CF4与高能量电子碰撞时，就会产生各种离子，原子团，原子和游离基。氟游离基可以与SiO2和Si发生化学反应，生成具有挥发性的四氟化硅（SiF4）。
2）氮化硅膜的等离子刻蚀
氮化硅膜的刻蚀可以使用CF4或CF4混合气体（加O2，SF6和NF3）进行等离子体刻蚀。针对Si3N4膜，使用CF4—O2等离子体或其他含有F原子的气体等离子体进行刻蚀时，对氮化硅的刻蚀速率可达到1/min，刻蚀选择比可高达20:1，主要产物为具有挥发性，方便被抽走的四氟化硅（SiF4）。
1.4.刻蚀工艺指标复杂，难度大行业壁垒高
刻蚀是光刻之外最重要的集成电路制造步骤，存在多项关键工艺指标，对芯片良品率和产能影响很大。刻蚀设备想要达成相关的工艺指标，则需要长期的实验和跑片来积累经验和knowhow，并不断调试设备各个子系统的相应参数设置。因此，刻蚀设备行业存在较高的壁垒。1）刻蚀速率即在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度，实际生产中为了提高产量，需要提高刻蚀速率。在采用单片工艺的设备中，它是一个非常重要的参数。2）刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状，有两种基本的刻蚀剖面，分别是各向同性和各向异性。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和纵向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。3）刻蚀偏差刻蚀偏差是指刻蚀之后线宽或关键尺寸的变化。
4）选择比选择比指在同一刻蚀条件下两种不同材料刻蚀速率快慢之比，具有高选择比的刻蚀工艺不会刻蚀其下一层的材料，并且也不会刻蚀起保护作用的光刻胶。在最先进的工艺中，为了确保关键尺寸和剖面结构，高选择比是必要的。尺寸越小，对选择比的要求就越高。如下图，SiO2为想要刻蚀物质，光刻胶为避免刻蚀物质，高选择比意味着刻蚀尽量多的SiO2，以及尽量少的光刻胶。
5）均匀性是衡量刻蚀工艺在单个硅片上，或不同硅片间刻蚀能力的参数。均匀性与选择比有着密切的关系，因为非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。刻蚀速率在小窗口图形中较慢，甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上，刻蚀会完全停止，这一现象被称为深宽比相关刻蚀（ARDE），也被称为微负载效应。为了提高均匀性，必须把硅片表面的ARDE效应减至最小。
其他指标残留物，聚合物，等离子体诱导损伤以及颗粒沾污，反应腔开机时间等等，也是实际生产中刻蚀设备需要满足的关键技术参数。
2.扩产叠加技术迭代，刻蚀设备销量份额双攀升
2.1.全球扩产拉动设备需求,刻蚀设备市场将达亿美元
集成电路制造所需要半导体设备种类繁多，刻蚀机是核心设备之一。年起，受疫情导致电子产品需求增加，新能源车渗透率提升，恐慌性囤货等事件的影响，全球半导体市场步入景气周期。据ICInsights统计-年年全球半导体市场规模，预计将从亿美元增长到亿美元。受半导体产品需求激增的驱动，晶圆厂积极扩充产能，年到年的资本开支依次为亿美元，亿美元，亿美元（预估）。设备采购支出占据晶圆厂资本开支的绝大多数。旺盛的下游需求，大幅拉升了刻蚀设备等半导体设备的市场规模。
2.2.5nm逻辑芯片制造刻蚀步骤攀升至次
在摩尔定律的推动下，晶体管集成度大幅提高，对应的集成电路线宽不断缩小，这直接导致集成电路制造工序愈为复杂。根据SEMI统计，20纳米工艺所需工序约为1,道，而10纳米工艺和7纳米工艺所需工序已超过1,道。尤其当线宽向10，7，5纳米甚至更小的方向升级，需要采用多重模板工艺，重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽，这使得刻蚀次数显著增加。据SEMI统计，20纳米工艺需要的刻蚀步骤约为50次，而10纳米工艺和7纳米工艺所需刻蚀步骤则超过次。逻辑制程中的刻蚀步骤数量的大幅增加，意味着刻蚀设备的市场需求数量持续增长。
在逻辑电路的前段工艺（FEOL）中，涉及的刻蚀步骤包括隔离槽刻蚀，侧墙刻蚀，多晶硅栅极刻蚀等；在后段工艺（BEOL）中，则主要涉及通孔刻蚀，沟槽刻蚀，金属线刻蚀等工艺。逻辑芯片涉及多种材料的刻蚀，其中：单晶硅刻蚀用于形成浅沟槽隔离，多晶硅刻蚀用于栅极和局部连线，介质刻蚀主要用于接触孔刻蚀，通孔刻蚀，沟槽刻蚀，侧墙刻蚀。
多晶硅栅极制造是集成电路生产的核心步骤，对刻蚀要求高，因此要求设备具有高选择比，高各向异性，高控制精度的特性。此外，由于多晶硅栅，浅槽隔离等尺寸极小，故精度要求极高，选择比要达到：1左右。同时小尺寸带来深宽比增大，硅刻蚀在14nm以下的深宽比会达到约30:1及以上，刻蚀难度加大。
新型FinFET架构的采用，也提升了刻蚀的重要性。FinFET称为鳍式场效应晶体管，在该结构中，闸极设计成类似鱼鳍的叉状3D结构。其相对于平面结构具有众多优势：（1）更好的沟道控制能力；（2）更低的漏电流；（3）更低的阈值电压；（4）大幅缩减闸长。
在2D构造MOSFET中，“闸极长度”大约10nm，是左右构造中最细小，最难制作的。当闸极长度缩小到20nm以下时，会产生“短沟道效应”：源极和漏极的距离过近，闸极下方的氧化层愈来愈薄，电子可能发生“漏电”现象。FinFET结构取代老式的MOSFET后，凭借自身优异特性成功解决了这一问题，自年起，逐步成为市场主流。
FinFET结构的刻蚀步骤和难度相比传统结构都有所增加。对于FinFET上部互连层制造，随着电路密度加大，互连结构日益复杂，增加了刻蚀步骤；同时复杂的互连层带来的损耗逐渐增多，也刻蚀设备的工艺良率提出了更高的要求。
多重图形和多重曝光的重复次数一般为2-4次，以最基础的双重曝光和双重图形为例进行说明：双重曝光技术（LELE）是在同一晶圆上，依照顺序，依次进行光刻-刻蚀-光刻-刻蚀工艺，使得图形密度提高一倍。其主要步骤为：光刻1：将第一层图形暴露在掩膜版上。刻蚀1：将第一层图形刻蚀到掩膜版上。光刻2：曝光第二层图形,加倍图案密度。蚀刻2：将最终的双密度图案刻在硅片上。原来一层光刻图形被拆分到两个或多个掩膜上，实现了图像密度的叠加。自对准多重图形化(SADP)是一种替代传统LELE方法的双重图形化工艺。通过侧墙自对准工艺的双重图形化技术方案：即通过一次光刻和刻蚀工艺形成轴心图形，然后在侧壁通过原子层淀积和刻蚀工艺形成侧墙图形，去除轴心层（即牺牲层），形成了图形尺寸减半的侧墙硬掩模图形。
SADP技术增加了刻蚀次数和刻蚀难度，推动了刻蚀设备的发展。一方面，由于SADP过程涉及多层掩模的刻蚀，因此需要匹配多条刻蚀产线，增加了刻蚀次数。另一方面，该技术的主要难度在于：（1）选择比问题：重复次数增加的SADP技术会需要更多层侧墙和掩模，使得刻蚀的工艺更加复杂；为保证图形转移的准确性，对于不同的层级物质，间隔物，下层材料等，刻蚀选择比方面也具有更高的要求（2）侧墙形貌的控制：侧墙形貌是图形转移的关键掩模，刻蚀难度也随侧墙层数的增多而增大。
2.3.存储器制造对刻蚀设备依赖加深
集成电路的发展除了不断缩小线宽外，其器件结构也趋于复杂，逐步向多层化发展。例如内存DRAM主要朝缩小尺寸进展，并引入凹栅，埋入式字线等3D结构。而NAND闪存已全面进入3D时代，通过增大堆叠的层数，3DNAND的层级也从64层，层，向层及层以上发展。
2.3.1.DRAM结构微缩与多层化并举
DRAM存储器的存储单元核心结构，可分为深槽电容和晶体管两个部分。DRAM晶体管的微缩进展大部分与逻辑制程类似，对于自对准多重图形和多重曝光依赖逐步加深，需要更多更先进的刻蚀机设备；而电容槽的刻蚀则是DRAM迭代过程中的主要技术难点。按照电容槽位置的不同，DRAM可分为沟槽式DRAM和堆叠式DRAM。1）沟槽式DRAM：先在硅上刻蚀出电容沟槽，然后在沟槽中沉积出介电层以形成电容，栅极在电容上方。这种构造的DRAM目前应用领域较少。2）堆叠式DRAM：存储单元在栅极之上形成，主要用于制造独立式的高密度DRAM。电容结构的刻蚀形成，主要依赖具备高深刻宽比功能的介质刻蚀机和单晶硅刻蚀机。目前，绝大多数DRAM采用堆叠式结构。
电容槽刻蚀的精确度，直接关系到后续的电介质材料沉积工艺。随着DRAM制程从2Y朝1X,1Y,1Z发展，每个DRAM单元所占的宽度不断缩小，其内部的电容槽深宽比随之不断提高；高深宽比的电容槽刻蚀难度高，形成速率较慢，所需要的刻蚀设备数量不断上升。
除了微缩之外，DRAM也采用了包括埋入式字线和凹栅在内的新技术，进一步缩小单位存储单元所占体积，这对刻蚀设备提出了新的要求。埋入式字线和凹栅的主要构造，分布在单晶硅衬底上；雕刻其所需的单晶硅刻蚀工艺，需要更好地控制关键尺寸，深度和轮廓；也需要实现对单晶硅和STI位置氧化硅几乎相同的蚀刻率。
2.3.2.NAND制造刻蚀设备开支远超光刻
NAND存储器的主要向多层3D化方向发展，这是由于电路线宽缩小到一定程度后，漏电现象严重；对于非易失性存储器NAND来讲，这种漏电是不可接受的。3DNAND的核心结构包括层与层之间的沟道通孔(channelhole)，接触孔（contacthole），每层的台阶（staircase），侧面的狭缝（slit）等。随着叠堆层数增多，以上微观结构的数量不断上升，刻蚀所面临的技术难度也不断提高。相比于DRAM存储器，3DNAND中涉及到的孔刻蚀工艺步骤数量更多，刻蚀难度更大，故需要大量更先进的刻蚀设备。除此之外，3DNAND中台阶结构和狭缝结构的形成，也需要大量的先进刻蚀设备。
3DNAND对刻蚀设备的大量需求，使NAND存储器扩产所需的资本开支中，刻蚀设备的支出占比明显提高。据东京电子估计，刻蚀设备的开支占比由2D存储器中的不到15%，上升到3D存储器中的大于50%。我们预计随着3DNAND朝层以上叠堆，刻蚀设备的资本开支占比还会有所上升。
依据东京电子公司的统计，从年到年，随着闪存结构逐步从2D过渡3D，NAND制造所需的刻蚀设备，占全半导体产业所需刻蚀设备的比例不断上升。截至到年，NAND制造所用的刻蚀设备规模，已超越DRAM和逻辑领域。随着3DNAND的构造继续朝着更高层级迈进，叠加全社会对海量数据存储的需求，我们预计NAND刻蚀设备占全半导体制造行业刻蚀设备的比例，还将进一步上升。
3.刻蚀设备零件种类复杂，美日欧掌控高价值部件
依据中微公司年年报公布的数据，刻蚀设备毛利率达到44.32%，半导体设备产品的成本中，直接材料占88.38%；专注于刻蚀机的泛林集团最新一季毛利率46%。综合以上数据，取毛利率为45%估计，可推算出全球刻蚀设备零部件市场规模为.8（刻蚀设备销售金额）*45%*88.38%，约为96亿美元。
3.1.刻蚀设备的主体结构
主流刻蚀设备的结构，可以分为主体和附属设备两大部分。其中刻蚀设备主体包括EFEM（设备前端），TM（传输模块），PM（工艺模块），三大模块。EFEM模块主要负责将晶圆从半导体厂内的各种搬运设备中（包括晶圆装载车，搬运机器人，天车），装载到刻蚀设备中；TM模块主要负责晶圆在刻蚀设备内部的传送；PM是实际对晶圆进行刻蚀处理，发生相关物理化学反应的模块。附属设备的功能则是为以上三个模块提供保障支持,布局相对独立于机台主体。
随着集成电路制造对单个刻蚀设备产能需求的提升，单个刻蚀机的反应腔数量呈现出由少到多的趋势。以东京电子的刻蚀机台变化为例，东京电子于年代首次推出一个平台搭配多个反应腔的机台Unity系列，0年代推出全世界首种具有平行腔室结构的机台Telius，年代则陆续推出具有6腔/8腔的的Tactras机台。而东京电子最新推出的Episode系列机台能挂载最多12个腔，大大提升了刻蚀设备的空间利用效率，为晶圆厂预留出更多的扩产空间。
挂载多个刻蚀反应腔的刻蚀设备，对于晶圆厂的产能提升至关重要；因为单个机台的腔室数量越多，单个腔室平均所占的空间越少。晶圆厂净化厂房的维护需要大量成本，降低单个设备所占空间，能有效提升单位面积净化厂房的晶圆产能，降低分摊到单个晶圆上的厂房折旧，维护成本。反应速率较慢，单位时间晶圆产出即WPH（waferperhour）较低的刻蚀设备（介质刻蚀设备为主），更倾向于采用超多腔结构。然而PM腔室数量增多后，会对EFEM前端模块，TM运输模块的装载-运输过程提出新的要求。
3.2.前端模块（EFEM）与传输模块（TM）
刻蚀设备的前端模块与传输模块，共同组成了将晶圆从外部的各种搬运设备中（包括晶圆装载车，搬运机器人，天车）移送到工艺模块中进行刻蚀处理的功能结构。其中前端模块主要包括晶圆装载盒（casstte）晶圆校准器（aligner），大气机械手（ATMrobot），晶圆装载口（loadport），等四部分；传输模块主要包括预抽真空传输体（loadlock），传输平台本体和真空器械手三个主要组成部分。设备前端市场主要被美国Brooks、Genmark、Kensington、日本Rorze占据。
3.2.1.晶舟（cassette）与前开式晶圆盒（foup）
晶圆制造涉及许多的程序和步骤，而晶圆则会因这些程序或步骤，需要置放于不同的外部环境和设备中。因此在晶圆制造过程中，晶圆会不断从一处运送至另一处，有时甚至必须暂存一段时间，以配合必要的制造流程。在刻蚀设备的前端模块中，晶舟与前开式晶圆盒共同构成了晶圆暂存模块,同时具备储存及运送功能，在晶圆在制造过程中扮演了非常重要的角色。外部的前开式晶圆盒（foup）可以保护，运输，存放12寸或8寸晶圆，防止晶圆在搬运过程中受损，同时降低工艺步骤之间的暴露在外部环境中对晶圆的污染，从而提高良率与产能。在使用过程中，晶圆盒通常会充入保护气体。晶舟（cassette），又称晶圆花篮，是晶圆盒中承载晶圆片的特制架状载具。承载过程中，通常一片一片地将晶圆放入架中，再把整个架子放到晶元盒内，这个架子被称为晶舟Cassette。
在包括刻蚀设备在内的半导体设备中，多数晶圆片在晶圆盒和晶舟中水平放置。此外，晶圆盒和晶舟还需具备防静电损害功能，其材质和设计同时具有耐磨损，低污染，气密性好，耐温（部分高温制程）等特性。通常情况下，晶圆盒和晶舟的设计参数需要符合SEMI标准，以保证其能够在不同厂商的设备中顺利运输。但实际上，部分特殊设备使用专用晶舟，因此就要用倒片器将晶圆从通用的晶舟转移到专用的晶舟中，再移入到特殊设备当中。
3.2.2.晶圆装载端口（Loadport）
晶圆装载端口是安装在前端模块中，负责接收晶圆搬运设备运送来的晶圆盒的机械装置。其主要功能包括装载，卸载，固定晶圆盒；打开或关闭晶圆盒上的门。晶圆装载端口是晶圆进出前端模块的通道，也是半导体设备与产线的交互端口，对于实现晶圆厂的自动化运转非常重要。晶圆装载端口有适用卡塞规格，放置标准，开启方式，平台高度标准和通信协议等，皆需要满足SEMI标准。同时晶圆装载端口通常具备RFID读取功能，用以识别晶圆盒的批次和编号。和其他模块类似，晶圆装载端口也需要具备高洁净度的特性，防止晶圆受到外部环境污染。
3.2.3.晶圆校准器(aligner)
随着集成电路制程的推进，几乎每种工艺前都需要进行晶圆定位和姿态调整。晶圆校准器负责对晶圆进行预对准，是定位调整的重要步骤。晶圆校准器的对准时间，对晶圆在前端模块中的传片速度有很大影响。
晶圆预对准的主要方法，主要是采用边缘检测传感器（激光传感器或图像传感器）配合转台计算晶圆的偏心位置，并定位晶圆边的缺口,然后利用机械运动平台校正晶圆位置,为下一步的晶圆传输做好准备。
3.2.4.真空机械手与大气机械手
大气机械手为EFEM中的核心部件，负责大气环境（EFEM，充气的lockport）中的晶圆取放；真空机械手负责真空环境（反应腔，真空传输腔，抽真空的lockport）中的晶圆取放。真空和大气机械手都需要具有防碰撞保护功能。此外，为防止晶圆碎片或晶圆应力变形，真空机械手的精度，夹力，均衡性，稳定性也非常重要。
3.2.5.预抽真空传输体(Loadlock)与传输平台主体
预抽真空传输体是大气和真空的中转腔室，用来隔绝反应室与外界大气直接接触，以确保反应室内的洁净，降低反应室受污染的概率。预抽真空传输体需要频繁的在大气和真空状态中进行切换，前端模块需要向预抽真空传输体取放晶圆时，需要充入氮气，将腔内的气压调整为大气状态，再开启预抽真空传输体在前端模块一侧的传输阀门，进行晶圆取放；当从传输腔（传输平台的一部分）向预抽真空传输体取放晶圆时，需要用真空泵将预抽真空传输体中的气体抽出，调整至真空状态，然后开启预抽真空传输体另一侧的传输阀，再进行晶圆取放。
晶圆在传片系统中传输的具体步骤为：所有门均关闭→晶圆装载端口打开晶圆盒的门→大气机械手从晶圆盒的晶舟中抓取晶圆→将晶圆放置在对准器上→校准晶圆位置→LoadLockA中充入氮气→打开LoadLockA的门→大气机械手将晶圆放入LoadLockA中→关闭LoadLockA的门→LoadLockA抽真空→打开反应室的门→真空机械手将晶圆放入反应室→反应发生→反应完毕后反应腔抽真空→打开传输腔室的门→真空机械手将晶圆移至传输腔→关上反应腔的门→打开LoadLockB的门→真空机械手将晶圆移至LoadLockB→关闭LoadLockB的门→LoadLockB充氮气→打开LoadLockB的门→大气机械手将晶圆从LoadLockB中移出→关闭LoadLockB的门
3.3.刻蚀设备的工艺模块（PM）
工艺模块是刻蚀设备的核心模块，是实际发生刻蚀反应的组件。按照功能类别划分，刻蚀设备的工艺模块主要可分为:反应腔系统，射频系统，静电卡盘与电极系统，真空压力系统，气路系统，终点检测系统等几个主要部分。
3.3.1.反应腔系统
刻蚀设备的反应腔腔室，一般由经过精密加工的铝金属制成。由于腔室本身需要在反应过程中，承受刻蚀反应复杂而剧烈的物理化学环境，故腔体需要采用多种防腐蚀技术。通常情况下，反应腔腔体表面涂有致密的涂层，以抵御离子冲击和高化学活性的气体腐蚀。常见的涂层有氧化钇和氧化铝，进行过特种涂层处理的腔室铝零部件被称为coating件。腔室中比较重要的涂层零部件包括内衬，内门，调整支架等，目前国内有较大比例依赖进口。日本KOGA，中国台湾京鼎精密，美国超科林公司为腔体加工件的主要海外进口来源。
3.3.2.射频系统
射频系统通常由射频电源（RFGenerator）和匹配器（RFMatch）两部分组成，是刻蚀设备的核心系统之一，目前该领域市场主要被美国优仪半导体（AE），万机仪器（MKS），及康姆艾德等公司占据。射频电源是可以产生固定频率的正弦波电压，且具有较大功率的电源。刻蚀气体(主要是CF4)通过气路系统通入反应腔室后,被射频电源产生的高频率电场(通常为13.56MHz)电离从而产生辉光放电，完成从气体分子到离子的转变，形成等离子体(Plasma)，提高气体反应活性。射频电源直接关系到反应腔体中的等离子浓度，均匀度以及稳定度。在大部分刻蚀设备中，射频电源会和DC电源配合使用，以分别控制离子的密度和能量大小。由于电场的加速效应，离子通常以物理和化学两种形式对晶圆进行刻蚀。此外，射频系统同时也是薄膜沉积设备，去胶机，离子注入机以及清洗设备的重要组成部分。
刻蚀设备常用的射频系统配置组合为固定频率射频电源和可调的匹配器。在刻蚀工艺发生的过程中，匹配器会自主调节内部的可调电容，使电源本身的输出阻抗和反应负载阻抗相互匹配，以达到射频电源的满功率输出。在理想的匹配状态中，使所有射频信号均能传到负载位置，并减少其能量的反射功率。当负载阻抗和射频电源输出的阻抗没有处于匹配状态时，少部分输入信号会在负载端反射回射频源，射频电源的输出功率并没有被完全使用，这降低了刻蚀反应发生的效率。
3.3.3.静电卡盘与电极系统
随着集成电路制造技术的不断发展，各大半导体设备厂商都逐步抛弃了机械式卡盘和真空卡盘，转而采用静电卡盘技术。比起传统卡盘，静电卡盘通常由氮化铝或氧化铝制成。静电卡盘对晶圆片夹持的力度均匀性强，减少了对晶圆边缘部分的磨损。
静电卡盘背部有氦（He）冷却通道。静电卡盘下方的冷泵驱动冷却通道中的氦冷却液，配合属于附属设备的冷却机，对晶圆进行温度控制，避免反应腔过热损坏。新型的静电卡盘普遍采用多区散热控温技术，保证在晶圆在刻蚀过程中的温度均匀稳定，减少温度对刻蚀速率均匀性的影响。冷泵的主要生产商为日本住友。
3.3.4.真空压力系统
刻蚀设备反应腔在反应过程中，需要处于高度真空状态，工作压力一般在1/托与1/0托之间。真空压力系统负责维持这种高度真空环境，主要由干泵，分子泵，真空规，真空阀等组成。
干泵抽真空，通常能达到毫托的真空度，分子泵则能达到0.1毫托的真空度。两种泵通常组合使用，干泵负责初步将腔体抽真空，而分子泵负责将腔体抽到高度真空的状态。部分刻蚀工艺，如原子层刻蚀，需要在较短时间内，依次循环通入多种刻蚀气体进行反应。这就对分子泵抽真空的速度提出很高的要求。新型分子泵的抽速也从－2L/秒发展到0-L/秒。干泵和分子泵的市场主要由英国Edwards,德国PfeifferVacuum，日本岛津等公司占据。
真空度的测量主要由真空规来完成。真空规要求具有精度高，稳定性好的优点。半导体设备中通常采用可靠性和准确性都较高的薄膜式电容真空规，其量程范围有mT，1T和10T三种。金属和硅刻蚀多选用mT真空计，而介质刻蚀选用1T真空计。
3.3.5.气路系统
刻蚀步骤需要使用多种刻蚀气体，这些气体也被称为反应过程中的工艺介质。刻蚀设备的气路系统负责从气源到反应腔内部的工艺介质的输送，主要由气路盒（Gasbox），匀气盘（Gaspanel），流量计（MFC），及管路组成。
气路盒的功能是通过多种调节阀，将气体类工艺介质从气源（特种气体瓶或晶圆厂的气路管道）调节压力后，导入到刻蚀设备的气路管道中。由于集成电路制造使用的气体大多具有危险性，为了保证安全，气路盒的柜体通常采用防腐涂层，设置外部观察窗，内部也处于负压状态。此外，气路盒配备多种监测系统，一旦监测到气体泄漏，会立即切断气体的输送并报警。匀气盘（Gaspanel）是气路系统的核心零部件之一，也是加工难度很高的半导体金属零部件。匀气盘通常由四层金属盘叠加组成，每个金属盘上都有很多小孔和复杂细小的气路通道。刻蚀气体经过气路盒的调节后，进入管道中，再通过匀气盘，最终以稳定均匀的速度输送到反应腔中。匀气盘需具备耐高温，低颗粒污染，耐腐蚀的特性，多层金属盘之间需采用特种方法焊接，以防止内漏。由于匀气盘与刻蚀的核心进气步骤相关，部分设备企业选择与精密金属加工企业合作研发生产匀气盘；除此之外，日本富士金阀门也是重要的匀气盘生产商。
刻蚀设备通过质量流量计（MFC）来监测和控制刻蚀气体进入反应腔中的速率。因为进气速率关系到刻蚀反应的稳定性，故刻蚀设备对质量流量计的流量范围，控制精度，流量稳定响应时间，都有较高的要求。流量计可分为模拟电路型，数字电路型及压力变化补偿型几种。压力变化补偿型流量计，能够自动补偿气源压力的波动，保证输出到反应腔的气体流量稳定。质量流量计的主要生产商为日本Horiba。
3.3.6.终点检测系统
终点检测系统被广泛应用于刻蚀设备中，以保证刻蚀的深度和时间符合工艺要求。刻蚀反应对无需刻蚀的物质（下层薄膜，掩膜等）也会有一定损耗。反应过程中，当需要被刻蚀去除的物质层被完全剥离后，刻蚀设备仍会以较慢速率继续去除下一层级的物质，从而造成过刻蚀。
终点检测系统通过光谱来确定刻蚀是否该结束的方式一般有两种：一是检测参与反应的化学气体浓度是否突然升高，二是检测反应生成物的浓度是否骤然下降。该设备按照检测波长的范围可分为单波长（HighOpticalThroughput）和分光镜（Monochromator）两种，前者只能通过特定波长的光，后者可通过电机控制分光镜的角度将所需波长的光分离出来。
3.4.附属设备
附属设备主要包括废气处理系统（scubber），外部冷却机（chiller），电源柜等。其中，废气处理系统负责处理刻蚀反应完成后，分子泵从反应腔中抽出的废气。外部冷却机与静电卡盘下方的冷泵等内部冷却组件连接，组成了刻蚀设备反应腔散热系统。电源柜则负责为刻蚀设备提供电源。
4.市场现状
4.1.海外三巨头各有专长，占据刻蚀设备多数市场
国内刻蚀设备企业起步较晚，目前全球市场大多被海外巨头占据；国际刻蚀设备市场呈现高度垄断格局，泛林集团，东京电子，应用材料作为行业TOP3，年占近9成市场份额。在三巨头中，泛林集团深耕刻蚀领域多年，技术实力最强，市场份额最高，其产品覆盖几乎所有工艺种类。中国国内企业中微公司，北方华创和屹唐半导体合计占据2.36%的市场份额，不及排名第四的日立高新或排名第五的韩国细美事，有着广阔的成长空间。
4.1.1.泛林集团（LAM）
泛林集团（LAMResearch）成立于年，是全球刻蚀技术龙头。年公司收入.26亿美元，同比增长45.61%。泛林集团的极高深宽比介质刻蚀设备，在NAND生产中作用非常重要；目前泛林集团对该型设备接近%垄断。
4.1.2.东京电子（TEL）
东京电子（TEL）成立于3年，总部位于日本。年公司收入.23亿美元，同比增长22.6%。其刻蚀设备在逻辑芯片生产中的大马士革一体化刻蚀工艺，和3DNAND制造过程的台阶刻蚀工艺中占据主导地位；此外，其高深宽比刻蚀设备也在3DNAND和DRAM制造中占有重要地位。
4.1.3.应用材料(AMAT)
应用材料成立于7年，总部位于美国。年收入为.59亿美元，同比增长34.06%。应用材料为全球最大半导体设备制造商，但其刻蚀设备市场地位较弱。应用材料的12寸主力设备为ProducerEtch系列机台，用于回刻蚀，Pad刻蚀等工艺。应用材料在刻蚀机领域的实力弱于泛林集团和东京电子；针对其部分产品，国产刻蚀设备已具备较强的替代能力。
4.2.国内扩产有侧重，国产刻蚀设备历史性机遇
基于已知的国内晶圆厂扩产计划和进度，我们认为刻蚀设备及上游的零部件产业链是较为优秀的投资赛道。国内偏向于成熟制程和存储器的扩产方向，是我们做出该判断的主要原因之一。同时海外的贸易限制措施，提升了国内晶圆厂实现设备国产化的紧迫性。
半导体设备中光刻，刻蚀，薄膜沉积价值量最高。根据SEMI统计，总额达到亿美元规模的晶圆制造设备市场中，光刻，刻蚀，薄膜沉积分别占24%，20%，20%。由于中国国内晶圆制造企业无法顺利采购最新型的极紫外（EUV）光刻机，将逻辑制程推进到7纳米级或更先进等级面临很大困难，故国内逻辑制程的扩产主要围绕28纳米左右的成熟制程进行。相比于先进制程，国内刻蚀设备企业在成熟制程领域已有比较充分的技术积累和工艺经验，能够完成更大范围的国产替代，潜在市场份额更大。就远期前景和先进制程而言，极紫外光刻设备的缺失，意味着国内晶圆厂需要依赖多重曝光技术或自对准多重图形技术来扩充的14纳米至7纳米产能。多重曝光技术需要频繁地进行掩膜版的精确刻蚀，而自对准多重图形则涉及侧墙的刻蚀成形。采用以上两种技术路线的先进晶圆产能，对于刻蚀设备都会有额外的采购需求。海外设备的供应风险，也导致国内晶圆厂更依赖国产刻蚀设备，为国产刻蚀设备迈向高端提供充分机遇DRAM芯片目前主要通过进一步微缩来推进制程进步，对刻蚀设备市场的影响与逻辑制程类似。此外，DRAM中的电容槽，埋入式字线结构也产生了高深刻比刻蚀设备的额外需求。在3DNAND存储器领域，国内晶圆厂通过叠堆而不是微缩来推进制程；多层的3DNAND需要大量刻蚀机来进行挖孔工艺，故刻蚀设备占总资本开支比例近50%。中国国内有海量的数据存储需求，对3DNAND需求极大，实现3DNAND国产化对信息安全至关重要。虽然新贸易限制措施可能导致短期内扩产受阻，但长期看，国内3DNAND企业拥有充分的政策和资金支持，技术水平与国际大厂差距小，扩产意志坚定，故3DNAND为国内刻蚀设备企业的重要潜在市场。
4.3.刻蚀设备国产化率低，自主可控市场需求广阔
国产刻蚀设备主要销往国内市场。结合中国大陆历年的半导体设备市场占比，取全球刻蚀设备市场年规模.9亿美元的25%估计规模，则中国刻蚀设备年市场规模为34.2亿美元。中微公司年刻蚀设备贡献营收12.89亿元，屹唐股份年刻蚀设备贡献营收1.2亿元，若假设北方华创当年的刻蚀设备营收为10亿元，则国产刻蚀设备的合计市场规模约为24亿元，对应的市场占比仅为约10%。
年到年，国内刻蚀设备企业在晶圆厂陆续取得工艺验证突破，在全球市场中的份额占比上升到约4%。在年1-6月的公开招标的项目中，国产刻蚀设备中标占比如表11所示已达到50%，但由于12寸晶圆厂大量设备采购未进行公开招标，中标刻蚀设备中存在部分进口翻新设备，故实际国产化率应远低于50%。在大马士革一体化刻蚀，侧墙刻蚀，接触孔刻蚀等高端工艺领域，进口设备仍占据绝对多数，国产替代潜在市场空间依然非常广阔。
5.重点公司分析
北方华创：ICP硅刻蚀领域先行者
北方华创为国内ICP硅刻蚀设备龙头，其前身北方微电子和七星微电子成立于1年，是国内最早的一批半导体设备企业，涉及集成电路制造，太阳能，LED，封装，新能源锂电，功率半导体等领域。北方华创的初代12寸刻蚀机于8年进入中芯国际北京厂进行90纳米至65纳米制程的工艺认证。同期，北方华创依托02国家重大专项，逐步提升技术水平。到年北方华创的刻蚀设备完成28纳米工艺验证，逐步实现了刻蚀设备的产业化。
公司年实现营收96.83亿元，其中电子工艺装备营收79.49亿元，占营收整体的82%。年上半年，北方华创电子工艺装备业务贡献营收41.00亿元。等离子干法刻蚀机为北方华创的核心产品，公司刻蚀设备目前覆盖硅刻蚀，金属刻蚀，介质刻蚀三大领域。北方华创针对8寸与12寸两种晶圆尺寸，提供NMC系列与NMC系列两大类干法刻蚀机。
NMC系列主要用于8寸晶圆的生产，北方华创在8寸晶圆刻蚀设备领域，已实现全覆盖。NMC系列ICP刻蚀机主要用于12寸晶圆制造过程中的硅刻蚀步骤，该系列机台目前已应用于国内多条量产产线。其中，最新型的NMCD型机台，已经完成了14纳米工艺节点中鳍式晶体管自对准双重图形（14nmFinFETSADP）步骤的相关验证，各项工艺指标均已达到量产要求，取得了刻蚀工艺技术的重大突破。
中微公司：CCP介质刻蚀领军企业
中微公司于4年8月成立于中国上海，是以生产刻蚀设备和MOCVD设备为主业的高科技企业。公司主要创始人员为美国应材高管尹志尧及其他15位硅谷半导体设备产业的资深华裔工程技术人员和管理人员。团队核心成员大部分具备20到30年的半导体设备研发与生产的经验。中微公司的全球销售和市场总部设于新加坡，并在中国台湾，韩国，日本等地设有分公司或办事处。中微公司的CCP介质刻蚀设备在国内处于领先地位，已成功打入台积电5纳米生产线的后端工艺部分，率先实现国产刻蚀设备在高端制程领域的突破。在存储器领域，中微公司的刻蚀设备在64层与层3DNAND生产线及1X纳米DRAM生产线中，实现了规模化应用。同期，中微公司所研发的高深宽比介质刻蚀设备PrimoHD-RIE成功出货，在DRAM和3DNAND生产的部分关键刻蚀步骤中表现优异，一定程度打破国外企业在高深宽比介质刻蚀领域的垄断。
中微公司的CCP刻蚀设备产品包括PrimoAD-RIE，PrimoSSCAD-RIE，PrimoHDRIE在内的多种型号。其中，PrimoD-RIE具有较为独特的双反应腔结构，两个反应腔共用一套排气系统。该型机台凭借其出色的成本和效率优势，在国内逻辑芯片产线的后端通孔和钝化层刻蚀等步骤中，已经取得了优势地位。公司年共生产付运CCP刻蚀设备腔，产量同比增长40%。
在CCP刻蚀设备不断取得突破的同时，中微公司ICP刻蚀设备也取得了较大进展。中微公司的Primonanova型ICP刻蚀设备于年出货，目前已在超过15家客户的生产线上进行了多项刻蚀工艺的验证。截止年12月底，中微公司已顺利交付超过台ICP刻蚀反应腔；其中年全年共交付ICP刻蚀反应腔台，产量同比增长%。年3月，中微公司推出了PrimoTwin-Star型ICP刻蚀设备，该产品沿用了中微公司国际领先的双反应台设计理念，并采用了Primonanova刻蚀设备的大部分硬件设计方案。PrimoTwin-Star型刻蚀机在具备良好性能的同时，提升了产品的经济性和产出效率。中微公司的PrimoTSV型刻蚀设备同样采用ICP刻蚀技术，具有高性能硅通孔能力，应用于芯片的3D封装，CMOS图像感测器，发光二极管，微机电系统等领域。
屹唐股份：源自海外并购的刻蚀新秀
年5月，亦庄国投通过屹唐半导体，成功收购了MattsonTechnology。这是中国资本成功收购国际半导体设备公司的第一个案例。屹唐股份通过收购Mattson掌握了其在刻蚀，去胶，热处理等领域的相关技术。
屹唐股份拥有传统等离子体刻蚀设备paradigmE系列和新产品Novyka系列。paradigmE系列刻蚀设备使用扁平型电感耦合体源设计，拥有双晶圆反应腔，双反应腔产品平台设计，多区温控静电吸附卡盘。Novyka系列则是具备高选择比的刻蚀设备。
刻蚀设备零件品类多，国产化比例亟待提升
刻蚀设备作为半导体产线的核心装备之一，其结构复杂程度仅次于光刻。国产刻蚀设备的初期型号对进口零件依赖程度较高；随着设备企业对于零部件自主可控的重视程度提高，国内出现了一批具有一定实力的国产供应商；然而在较为复杂的机械类和电气电子类零部件领域，国内企业大多数还处于初创或验证阶段。
富创精密：专注半导体金属零件加工
富创精密成立于8年，是一家专注于半导体精密零部件制造的企业。公司主要产品包括工艺零部件，结构零部件，气体管路，模组等。公司具有完备的生产工艺，获得国内外多家半导体设备厂商认证。成立以来，公司持续加大研发投入，不断拓展产品品类，通过客户A的39项大类特种工艺认证。报告期内，公司年均向客户交付首件零件种类超过3种，首件实现量产种类超过0种。
富创精密营收快速增长，在手订单充裕，产能利用率持续提升。年公司实现营业收入8.43亿元，同比增长75.21%。公司产能利用率亦持续提升，年工艺及结构零部件产能利用率达90.17%，同比+8.96pct。公司的在手订单也比较饱满，H1期末，公司合同负债0.33亿元，库存在产品0.92亿元，库存产成品1.64亿元。随着富创精密营收的快速增长，原有的生产线产能利用率也趋近饱满，公司计划在南通和北京建设新厂房。
公司也是目前全球少数具备7纳米制程零部件生产能力的企业。富创精密通过研发新型涂层，高洁净度清洗工艺，新型镀膜工艺，来提升零部件的洁净度以及在晶圆加工设备中的耐腐蚀性，从而提升了7纳米制程零部件的良品率。此外，公司在精密机械，表面处理，焊接，组装等制造工艺上的knowhow积累，也保证了7纳米制程零部件的高质量生产。目前，富创精密的7纳米产品已覆盖包括刻蚀机，氧化扩散炉，薄膜沉积机在内的设备。
江丰电子：跨界进入零部件领域
宁波江丰电子成立于5年，核心团队由多名海归博士组成，并引进了多名外籍专家。公司最初专注于半导体靶材的研发，取得较大突破，产品覆盖铝钛铜等多种靶材。江丰电子凭借其在高纯金属加工领域的优势，成功拓展产品品类到半导体零部件领域。
公司拥有较高的技术护城河。制造工艺包括超精密加工，扩散焊，氩弧焊，真空钎焊，表面处理，阳极氧化，等离子喷涂，热喷涂，特殊涂层，超级净化清洗等。在芯片先进制程生产工艺中，各种精密零部件以及CMP用保持环（RetainerRing），抛光垫（Pad）等作为耗材被广泛使用，零部件产品对金属材料精密制造技术，表面处理特种工艺等技术要求极高。近年来公司持续投入零部件制造工艺的研发，投资强化装备能力。公司建成了零部件生产的全工艺，全流程生产体系，建成了宁波余姚，上海奉贤，沈阳沈北三个零部件生产基地，实现了多品种，大批量，高品质的零部件量产。填补了国内零部件产业的产能缺口，与国内半导体设备龙头北方华创，拓荆科技，芯源微，上海盛美，上海微电子，屹唐科技等多家厂商形成战略合作，新开发的各种半导体精密零部件产品加速放量。
江丰子公司攻克刻蚀设备零部件领域，进入加速放量阶段。杭州睿昇为江丰电子参股公司，近期已攻克半导体先进制造工艺用刻蚀设备的核心零部件的生产技术，并于近期得到了下游客户认可，成功取得产品供应的订单。杭州睿昇是江丰电子零部件事业版块中至关重要的战略部署，专注于集成电路用易脆材料的精密加工，产品布局半导体脆性材料高纯硅，石英，陶瓷等零部件。
新莱应材：深耕管路阀门类零件领域
新莱应材于年成立于中国台湾，从年起进入半导体行业，早期主要给美商应材（AMAT）和泛林（LamResearch）等半导体设备企业做关键零部件代工。年起公司布局自主品牌，并于年通过设备企业供应商认证，在半导体设备零部件领域技术积累深厚。年下半年以来，全球半导体市场景气度持续上行，公司作为国内设备零部件细分赛道龙头，业绩增长迅速。
公司主要从事压力管道组件，低功率气动控制阀，流体设备，真空电子洁净设备及其相关零部件。公司半导体领域的产品主要是腔体，管件，阀，泵等零部件，应用于真空，气体领域。公司重点研发真空半导体零部件的加工，表面处理等工艺，并持续提供高端高效高洁净泵，超洁净管道管件，超洁净高密封性真空腔体。
产能扩张，业绩关键节点：公司半导体产品面向国内外众多客户，包括国外的美商应材，LAM，国内的北方华创，长江存储，合肥长鑫，无锡海力士，正帆科技，至纯科技，亚翔集成等知名客户。作为众多客户的合格供应商，公司产品订单充足，产能目前是制约公司业务上升的主要瓶颈。当前公司半导体真空系统产品面的客户较多，未来气体系统产品将是公司重点攻克的方向，今年上半年自有品牌的特气产品已经在部分客户批量出货。
英杰电气：发力射频电源国产化
英杰电气成立于年，是中国国内工业电源龙头企业之一。英杰电气从光伏硅片硅料产设备的工业电源起步，逐步横向扩张到包括蓝宝石，碳化硅等非高端半导体领域。公司所生产的主要产品PD系列可编程直流电源，已稳定供应中微公司的MOCVD设备，成功实现国产替代。此外，公司的射频电源类产品有望继续向高端延伸，进入刻蚀设备零部件领域，从而消除海外供应链风险。
英杰电气的分类营业收入近年来出现一定的波动。其中“半导体等电子材料”类业务包括LED，碳化硅，高端集成电路用射频源等。由于-年LED等非高端泛半导体市场出现一定程度回调，导致半导体类业务收入降低。年各公司各大类业务景气度出现回升，当年合计营业收入达到6.6亿元。H1，英杰电气继续维持高增速，实现营收4.52亿元，同比增速为67.87%。随着公司的射频源产品在刻蚀设备上进入验证阶段，产品迈向高端化步伐继续，营收规模与盈利能力有望进一步提升。
国力股份：提供射频电源关键元件
国力股份专业从事电子真空器件的生产，其生产的真空电容器，主要应用于半导体设备射频电源匹配器，对于实现核心半导体零部件的国产替代至关重要。国力股份通过二十余年技术积累和研发投入，掌握了覆盖了电子真空器件生产制造各关键环节的核心技术，相应技术和产品覆盖范围面广泛，已得到客户和认证机构的充分认可。
公司主要产品为电子真空元器件，产品分为有源器件与无源器件，应用于能源，半导体，军工，航空航天等多重领域。无源器件包括陶瓷高压直流接触，接触点组，陶瓷高压真空接触器，真空交流接触器，陶瓷真空开关管，陶瓷真空电容器，有源器件包括大功率闸流管，大功率磁控管，大功率速调管。
国力股份的营业收入逐年稳步增长，年公司实现营收5.09亿元，主要来自新能源汽车，传统能源，航空航天业务，半导体电容器业务占比较少，半导体电容器业务贡献营收0.38亿元，大约占公司整体营收的7.5%。随着国内半导体设备厂商对于零部件自主可控的重视程度提高，国产射频电源及匹配器的需求提升；国力股份作为匹配器上游关键电容零件的供应商，有很大的增长潜力。
新松机器人：产品覆盖设备前端模块
沈阳新松机器人成立于0年，是一家以机器人技术为核心的高科技上市公司，拥有4余人的研发创新团队，同时依托中科院沈阳自动化研究所强大的技术实力，坚持以市场为导向开展技术创新，形成了完整的机器人产品线及工业4.0整体解决方案。新松的机器人产品品类覆盖全面，包括工业机器人，移动机器人，特种机器人，协作机器人，医疗服务机器人五大系列百余种产品。新松机器人的半导体真空机械手，大气机械手，EFEM产品在国内居于领先地位。
新松机器人年实现营业收入32.98亿，其中半导体类产品实现收入1.64亿元；其传统机器人业务仍然贡献绝大多数营收，目前公司整体盈利能力较弱。
华卓精科：静电卡盘国产化的突破先锋
北京华卓精科成立于年5月9日，创始人为清华大学机械系教授朱煜，主营业务为集成电路制造装备及关键零部件。华卓精科是国内为数不多进行静电卡盘研发生产的企业。
华卓精科已开发出适用12寸晶圆的PVD工艺用氮化铝静电卡盘，在一定程度上破除了国外厂商在该产品领域内的长期垄断局面，但整体产品性能相较国际先进水平仍存在一定差距，适用于刻蚀设备的静电卡盘目前仍在验证当中。
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