近红外硅量子点SiQDs波长nm
硅基上的近红外量子点的应用介绍
硅量子点由于具有优异的发光特性,能够应用于光电器件和生物成像等领域。本征硅量子点的性质显著依赖于其尺寸大小和表面状况。同时,作为半导体材料,掺杂是调控硅量子点性质的另一个维度。通过掺杂研究人员可以对硅量子点的光学、电学、磁学等性能进行准确调控,极大地拓展硅量子点的应用领域。
本章首先概述硅量子点的基本性质,包括光学、电学和热学性质；其次介绍其制备方法和应用领域；后介绍国际上相关研究小组对硅量子点掺杂的研究进展,包括镶嵌在二氧化硅中的硅量子点和独立存在的硅量子点。硅量子点的性质对于半导体材料,当其尺寸小于激子波尔半径时会呈现出与体材料不同的性质。激子波尔半径（aB）的计算公式为：
式中为普朗克常量,ε为真空介电常数,e为电子电量,me为电子有效质量,mh为空穴有效质量。对硅来说,其激子波尔半径约为4.9nm。当晶体硅的尺寸小于约4.9nm时它会出现量子限域效应、表面效应和多激子效应等。由于量子限域效应,硅量子点中的载流子（如电子和空穴）的运动会受到限制。随着硅量子点尺寸的减小,其能带发生展宽,并且从体硅的连续能级变为准连续的分裂能级,同时在禁带中多出1至3个激子能级。
硅量子点的禁带宽度随其尺寸的变化如图1.1所示。Buuren等人[8]发现硅量子点的禁带宽度增大是由价带向下、导带向上移动造成的,并且价带移动的能量是导带移动能量的两倍（即ΔEVB=2ΔECB）。量子限域效应使硅量子点的吸收和光致发光能量随尺寸减小而蓝移,同时由于电子动量的不确定性增加,电子-空穴复合几率显著增加,使硅量子点成为一种极其重要的发光材料。
硅量子点的应用
硅量子点是当前纳米材料领域的一个研究热点,由于其优异的光电特性、无毒性以及和现有硅基集成工艺良好的兼容性,能够应用于诸多领域如记忆存储、生物成像、锂离子电池、太阳能光伏、发光器件、探测器等。其中太阳电池、发光二极管（LED）和光电探测器是实现硅量子点优异光电特性的主要器件,下面简要介绍硅量子点在这三种器件中的应用。
其它量子点定制产品：
巯基丙酸修饰CdTe
ZnS量子点巯基化合物修饰CdTe量子点
巯基乙酸,TGA修饰CdTe量子点(TGA-CdTeQDs)
L-半胱氨酸,L-Cys修饰CdTe量子点
还原型谷胱甘肽,GSH修饰CdTe量子点
硫脲修饰Cd掺杂ZnO水溶性量子点
巯基丙酸(MPA)修饰CdTe量子点(CdTeQDs)
聚丙烯酸-1,2-二硬脂酰-sn-丙三醇-3-磷脂酰乙醇胺修饰CdSe量子点（CdSe/PAA-DSPE）
单-(6-巯基)-β-环糊精修饰CdTe量子点（mono-6-thio-β-CD-CdTeQDs）
叶酸修饰AgInS2量子点
叶酸修饰碳量子点(C-dots-FA)
二巯基辛酸修饰CdSe/ZnS量子点
PEG修饰ZnO量子点
环糊精修饰CdSe量子点
L-Cys/MPA共修饰CdTe量子点
L-半胱氨酸(L-Cys)和巯基丙酸(MPA)共修饰CdTe量子点
肼修饰的石墨烯量子点(HM-SGQDs)
GSH-TGA共修饰CdTe量子点
巯基化壳聚糖修饰CdTe量子点粉末
以上资料来自小编axc,.03.18