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最近，关于台积电的先进封装有很多讨论，让我们透过他们的财报和最新的技术峰会来对这家晶圆代工巨头的封装进行深入的介绍。
资料显示，在张忠谋于年重返公司之后，就下定决定要做先进封装。而年加入公司的余振华就是台积电这个“秘密”项目的带头人。CoWoS技术则是台积电在这个领域的小试牛刀。他们这个技术首先在Xilinx的FPGA上做了实现，而基于此衍生的InFO封装则在苹果处理器上大放异彩，并从此让台积电的封装名扬天下。
台积电先进封装技术科普
据Semiwiki报道，去年，台积电将他们的2.5D和3D封装产品合并为一个单一的、全面的品牌3DFabric。
其中，2.5D封装技术CoWoS可分为CoWoS和InFO系列。首先看CoWoS技术，可以分为以下几种：
1、CoWoS-S
用于die到die再分布层(redistributionlayer：RDL)连接的带有硅中介层的“传统”基板上晶圆上芯片（chip-on-wafer-on-substratewithsiliconinterposer）正在庆祝其大批量制造的第10年。
2、CoWoS-R
CoWoS-R选项用有机基板中介层取代了跨越2.5Ddie放置区域范围的（昂贵的）硅中介层。CoWoS-R的折衷是RDL互连的线间距较小——例如，与CoWoS-S的亚微米间距相比，有机上的间距为4微米。
3、CoWoS-L
在硅–S和有机–R中介层选项之间，TSMCCoWoS系列包括一个更新的产品，具有用于相邻die边缘之间（超短距离）互连的“本地”硅桥。这些硅片嵌入有机基板中，提供高密度USR连接（具有紧密的L/S间距）以及有机基板上（厚）导线和平面的互连和功率分配功能。
请注意，CoWoS被指定为“chiplast”组装流程，芯片连接到制造的中介层。
再看2.5D封装技术InFO。
据介绍，InFO在载体上使用（单个或多个）裸片，随后将这些裸片嵌入molding