4月12日，株洲中车时代电气发布关于自愿披露控股子公司投资碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目的公告。公告显示，公司控股子公司株洲中车时代半导体拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。
△Source：时代电气公告截图
1推动第三代半导体关键芯片自主化
公告显示，碳化硅芯片生产线相关项目主要对湖南省株洲市田心工业园区内碳化硅芯片线厂房进行改造升级，改造既有设备，新增工艺设备及工艺辅助设备，信息化软件新增或实施服务；装修洁净室，配套进行厂务扩容，新增公用设备。
项目建成达产后，将现有平面栅SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线年片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线片/年。
目前，第三代半导体市场广阔，集邦咨询表示，相较于Si，SiC在高压的系统中有更好的性能体现，有望逐步替代部分Sibase设计，大幅提高汽车性能并优化整车架构，预估SiC功率半导体至年可达33.9亿美元。
时代电气表示，通过本项目实施，形成面向新能源汽车、轨道交通方向的SiC芯片量产生产线，并进一步研发高性能的新产品，可以进一步推进中车时代半导体工艺技术进步，提升产业化水平，实现国家第三代半导体关键芯片自主化，提升国际竞争力，保障第三代半导体产业的可持续发展具有重要意义。
2原有产线助力6英寸SiC芯片线建设
公开资料显示，时代电气主要从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售并提供相关服务，具有“器件+系统+整机”的产业结构。同时，公司在功率半导体器件、工业变流产品、新能源汽车电驱系统、传感器件、海工装备等领域开展业务。
年9月7日时代电气科创板上市，截至今日中午收盘，市值达.33亿。
近年来，时代电气持续发力第三代半导体。3月29日，时代电气发布年年报，公司主营收入.21亿元，归母净利润20.18亿元，其中功率半导体器件收入10.68亿元，同比增加33.26%。
△Source：时代电气财报截图
公告显示，时代电气早在“十三五”期间，就建成了碳化硅芯片线，实现了在碳化硅技术领域从无到有的突破。据时代电气官方消息显示，年年初，中车时代电气6英寸SiC生产线首批芯片试制成功，该生产线具备了完整的SiC芯片制造生产能力。而此次项目是在原有产线上进行改造升级，具备较好的实施基础。
在技术基础上，时代电气在碳化硅器件领域已申请多项发明专利及发表多篇论文，并且完成了第一代技术产品的开发和技术积累，已形成成熟的SiC芯片产品“设计-制造-测试-模块”完整能力，公司SiC产品在地铁、新能源汽车、光伏等市场领域均已实现应用示范。
据悉，时代电气建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术，除双极器件和IGBT器件在输配电、轨道交通、新能源等领域得到广泛应用外，公司的“高性能SiCSBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证”项目已通过科技成果鉴定，实现了高性能SiCSBD五个代表品种和SiCMOSFET三个代表品种，部分产品已得到应用。
此外，时代电气有过多条产业化半导体生产线的建设经验，从4~6英寸大功率晶闸管生产线至8英寸IGBT生产线，技术团队具备丰富的项目组织经验与能力。
3结语
集邦咨询表示，现阶段用于功率器件的N型SiC衬底仍以6英寸为主，尽管Wolfspeed等国际IDM大厂8英寸进展超乎预期，但由于良率提升及功率晶圆厂由6英寸转8英寸需要一定的时间周期，因此，至少未来5年内6英寸SiC衬底都仍为主流。
时代电气此次提升碳化硅芯片生产线技术能力既顺应了行业发展大势，也是稳步推进公司第三代半导体关键芯片自主化，加速推动国产替代。