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Y7T，是ECOC前写的，末尾说等Intel在ECOC上做解析。
纯硅集成芯片，调制器是微环纯硅，探测器也是微环纯硅，7mmx1.3mm
驱动和TIA集成芯片，是4.4mmx2.5mm，用的28nm工艺，
常规的硅MZ结构调制器的话，需要几千微米长度，微环则可以把调制器缩小为千分之一
Intel的微环是10微米直径，年发布一个图样，年也更新了一版，我们写过的。
ECOC这一版的调制器与探测器的结构一样，调制器是PN正偏压，产生调制，探测器是PN负偏压，进行光的吸收。
调制器，写过很多，不赘述。
全硅探测器，用的双光子吸收，原理在去年也聊过，不赘述。
反偏电压在5.8-5.9V，年给出的曲线
全硅探测器，放弃锗工艺，原因在Y7TIntel硅光集成选择内置SOA的原因
全硅探测器，响应度低，但工艺简单，可靠性高，Intel利用微环的谐振效果来增强响应度，弥补纯硅探测器的不足。另外还有一个难处就是反偏电压，入射功率以及温度，对全硅探测器的响应度影响非常大，
而响应度和暗电流又息息相关，下图源于Intel专利，这意味着信噪比的控制不容易
如果没有猜错的话，Intel应该内置了一个参考探测器，无光输入，通过暗电流的量反推响应度（上图是线性关系），再通过反推出来的反偏电压，加载在信号探测器的反偏电压的设置值。
另外这个参考探测器，还有一个作用，可以提取出暗电流，用于信号电流的噪声滤除查找表，提高信噪比。（把信号电流-参考探测器的暗电流，得到一个噪声电流较低的设置）
光开关的设置，让两侧的波导输入和输出通道切换非常便捷。
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匡国华