昨天，国产碳化硅产业又传来喜讯——江苏中科汉韵半导体有限公司的SiC功率器件项目正式通线。该项目总投资8亿元，2期项目达产后SiC器件年产能超万片，而且SiCMOSFET也可实现规模化生产。
据“三代半风向”了解，目前徐州已经布局了3个碳化硅半导体项目，衬底方面，天科合达投资5亿元，二期达成后产能达6万片；封装方面，徐州布局了台湾强茂以及另一个总投资3亿元的项目。
同时，徐州还在布局氮化镓产业，目前天和通讯已简约建设第三代半导体产业园，总投资30亿元。
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投资8亿，6万片/年
一期通线、二期开建
5月24日，中科汉韵在江苏徐州开发区举行了碳化硅器件项目通线仪式。
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