C、Si为同一主族的元素，二氧化碳和二氧化硅的化学式相似，但结构和性质有很大的不同。
二氧化碳分子中C与O原子间形成σ键和π键，二氧化碳分子间通过微弱的范德华力聚集在一起，由于范德华力没有饱和性和方向性，所以，二氧化碳分子通过范德华力以最密方式聚集，形成面心立方堆积结构的分子晶体。
二氧化硅晶体中Si、O原子间不能形成π键，从原子半径大小的角度分析，原因是：Si的原子半径较大，Si、O原子间距离较大，p-p轨道肩并肩重叠程度较小，不能形成π键。二氧化硅晶体中，Si、O原子间，通过强烈的共价键，直接结合成空间网状结构的晶体。因此，二氧化硅与二氧化碳晶体相比较，二氧化硅晶体的熔沸点远高于二氧化碳晶体，二氧化硅晶体的硬度页也远大于二氧化碳晶体。