北京正规酒渣鼻医院 http://m.39.net/pf/a_8733705.html硅异质结太阳能电池的纳米晶硅薄膜生长和应用：简短回顾
MansiSharma*,JagannathPanigrahi和VamsiK.Komarala
摘要
与用于硅异质结（SHJ）太阳能电池的非晶硅（a-Si:H）薄膜相比，掺杂纳米晶硅（nc-Si:H）薄膜具有更好的载流子传输特性和更低的寄生吸收。本文综述了nc-Si:H薄膜作为SHJ太阳电池载流子选择层的生长条件。分析了氢化非晶硅基体中硅纳米晶在孕育、成核和生长的不同阶段的表面和生长区模型。重点介绍了用于SHJ电池的nc-Si:H薄膜和含氧合金化nc-SiOx:H薄膜的最新进展。此外，强调氢和二氧化碳等离子体处理是提高nc-Si:H薄膜光电性能的关键工艺改进步骤，以通过更好的载流子选择界面提高SHJ器件性能。
、简介
太阳能光伏（SPV）是在不久的将来满足世界太瓦电力需求的最佳选择之一。具有高功率转换效率(PCE)和降低成本的硅晶片太阳能电池一直在推动该领域的技术进步。这些是基于在高温下制备的经典同质结太阳能电池，以及在低温下制备的具有相对更好性能的非晶/晶体硅（a-Si/c-Si）异质结（SHJ）太阳能电池。在硅家族中，氢化非晶硅（a-Si:H）以其非典型的光电特性（定制的禁能带隙、载流子迁移率和电导率）引起了人们的