众所周知，芯片的发展是严格遵守摩尔定律的。摩尔定律的核心内容是集成电路上可容纳的晶体管数量在大约每经过18个月就会增加一倍，处理器的性能每隔两年就会翻一倍。如今芯片的发展已经无限接近摩尔定律，那么在这个时候找到一种新材料去替代传统的硅基芯片，就成为了人全人类共同的目标。
摩尔定律无限接近物理极限
从去年开始就不断有消息传来，中科院研发出了石墨烯晶圆芯片，今年台积电方面又传来消息已经突破了2纳米新材料铋，但不管是这种石墨烯晶圆还是这种新材料铋，目前来讲都只存在于实验室之中，至于将来究竟能不能真的被商用还是一个问题。
最近芯片行业之中再次传来了一个好消息，国产黑马出现，苏州的英诺赛科半导体有限公司在江苏分湖高新区举行了8英寸硅基氮化镓芯片量产，并且成为全球首家实现8英寸硅基碳化氮化镓量产的企业。
这家公司相信大部分人都是比较陌生的，但很多人不知道的是，这家公司来都其实还是非常大的。其创始人曾经在美国NSNA工作了15年。而在回国之后，其创始人骆薇薇成立了这家新材料高科技公司，致力于第三大半导体硅基氮化镓的研发与产业化。
新材料问世
公司注册资本达到27亿，被称为是第三代半导体领域的区巨头企业，并且如今已经在这种新材料上实现了量产，成为了国内半导体企业的表率。前面讲到过，传统芯片领域之中，台积电和三星已经实现了5纳米，甚至台积电这边也已经向着3纳米开始进发，可是芯片制造工艺的提升将会越来越难当，进入到一纳米的时候就会顶到天花板，所以才会说摩尔定律即将要捅破极限，而寻找到新的材料取代传统的硅基芯片，成了很多企业弯道超车的关键。
英诺赛科所研发的硅基氮化镓晶圆成为第三代化合物半导体代表材料，并起传统的硅基材料来讲，硅基氮化嫁是以硅衬底将归于氮化镓整合在一起的材料。氮化镓是具有更强的化学键，所以能够承受比硅基材料很高出很多倍的能力。
这就意味着晶体管之间的距离最多可以缩短十几倍，而晶体管的密度也能够大幅度增加。其芯片的面积会更小，功耗更低，性能也将会更强，当然在成本上也会变得更低。而在学术界，由于硅和镓之间的大晶格失配，所以导致将这两种化学物质整合在一起的难度非常大。
不过好在英诺赛科做到了这一点，成功打过了海外企业在国内形成的垄断。另外，在其他很多领域之中，我们也逐渐迎来了好消息，光刻机，蚀刻时机以及离子注入机等等都迎来了利好。
国芯或将迎来转机
上海微电子的28纳米精度光刻机即将落地，7纳米工艺芯片即将要实现量产，再加上如今国家自主研发了硅基氮化镓晶圆，所以国产芯片或将迎来新的转机。可以说我们能够取得如此的成就，还要感谢美的打压，如果不是因为美国的打压，那么我们可能也不能够发挥出我们巨大的潜力，相信在接下来的发展之中，我们一定能够取得更多的成绩，在半导体的各个领域中实现更大的突破。
实现芯片上的自主化，已经成为全国人共同的目标，以华为为首的高科技企业，正在不断努力，不断突破，相信在这些企业的共同努力之下，我们一定能够完成在各个领域上面的自给自足