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在硅上成长量子点，借用GaAs做缓冲，是很早的一个工艺，然而初期的机关里却很难实行与其余机关一同做硅光集成
因为也很简朴，由于他们的晶向不同。在近两年才有了与硅光集成同样晶向的外表成长量子点工艺。
晶向，是人为给界说的晶体方位，用于分辨工艺面。咱们激光器用的InP、GaAs都是闪锌矿机关，是一种面心立方体，是两个原子构成的化合物。
每个原子，都与周边4个原子共用电子，构成键协力，是固体。
硅、锗也是近似的面心立方体机关，不过是硅，锗的单位素枚举，也是每个原子，都与周边4个原子共用电子，构成键协力。
关键是这些原子是平面机关，不同的方位和角度，浮现了不同的力学、电学特点。与咱们的本能息息关连。
惯例，用的都是在晶锭上正切晶圆，构成衬底。InP衬底也许硅衬底
Y8T50磷化铟衬底生成工艺
切完以后的晶圆，定向主若是分辨和面，由于是咱们的解理面，在Y5T中写过，在这个面上的原子散布最周密，与相邻的面这力较小，金刚刀延红线划过，很轻易在这个面果然破裂。
xy轴是面。
晶圆定向，用来找出解理面，并在芯片计划机关时，思虑解理机关。
是外表成长面，在这个面上一层层成长咱们须要的光学和电学机关
面也用的越来越多，
好比合集的页的硅波导腻滑度处置，用了面来到达原子级润滑。
好比25G激光器的塌台型波导，合集上第79页，升高调制速度，用的也是面。
好比和页，用硅的面来个别异质成长无毛病的三五族材料。
然而，量子点初期在正切的晶圆上很难实行本能，用的是斜切衬底，固然也是在硅衬底上异质成长三五族，但由于晶向的偏离，致使无奈和当今的工艺停止集成。
近两年，在正切晶圆上开端外表量子点，并配置缓冲层来吸纳由于晶向致使的极性倒转的“反相畴”，才有了“工艺冲破”的说法
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匡国华