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二氧化硅和硅的热氧化
通常情况下，制备一种化合物的方法多种多样，二氧化硅也不例外，最常见的二氧化硅制备方法是热生长法，其次还有真空蒸发法和热分解沉积法等。方法的选择需要根据需求来决定，为什么热生长是制备二氧化硅最常见的方法呢？其原因是由热生长法所制备得到的二氧化硅质量是最好的，有很好的重复性和化学稳定性，这是其他方法所不能达到的。除此之外，由热生长法制备的二氧化硅在物理性质上也有很出色的表现，不太会受空气当中水分（湿度）及中低温等外界因素的影响，能够比较好地保持自身性质。
在非晶硅的结构和缺陷一文中，提及在硅晶体表面存在着的悬挂键，而通过热生长法所制备的二氧化硅能够有效地降低硅表面的悬挂键，这样一来就对硅起到了钝化作用，因为可以使得其表面态密度减小，这一性质还对MOS器件和其他器件起到了至关重要的作用。
接下来对其进行详细介绍
其实湿氧氧化除了用高纯水的氧气来携带水蒸气，还有其他的气体也可以达到同样的效果，比如惰性气体（N2，Ar），同样可以用其携带水汽来进行湿氧氧化，在这种情况下，完全就是水汽和硅进行反应。还有另外一种方法，就是采用高温合成技术，在高温合成技术这一系统中，水汽是由纯的氧和氢反应得来的，其优点是可以很好地控制系统内的压力（可控范围比较大），还能在一定程度上减少污染。
上述三种方法各有各的优点，在真正集成电路制造时，要根据所需要的二氧化硅层的性质，来选择以上的方法。需要注意的是，以上三种方法不是只能使用其中一种，而是可以组合使用的。比如，如果需要厚一点的二氧化硅层，这时采用的就是将干氧氧化和湿氧氧化结合使用（干氧氧化—湿氧氧化—干氧氧化）