北京哪些扁平疣医院好 http://m.39.net/pf/a_8812994.html钛酸钡BaTiO3单晶材料，表现出较小的翻转磁场switchingfields和能量，但薄膜性能相当不好，因此阻碍了其在下一代器件中的应用。
近日，美国加利福尼亚大学伯克利分校(UniversityofCalifornia,Berkeley)，劳伦斯伯克利国家实验室(LawrenceBerkeleyNationalLaboratory)L.W.Martin团队Y.Jiang等，在NatureMaterials上发文，报道展示了高质量BaTiO3薄膜，其理化性质接近于块体材料。厚度缩放提供了未来应用所需的矫顽电压(mV）和磁场(10kVcm-1），并产生2Jcm-3转换能量switchingenergy(对应于10×10×10nm3器件中每比特2AJ)。虽然薄膜厚度的减小，降低了矫顽电压，但这是以牺牲剩余极化为代价的。退极化场影响较厚薄膜中的极性态稳定性，但幸运的是抑制了矫顽场，从而导致偏离Janovec-Kay-Dunn标度，并使厚度nm薄膜，具有恒定的矫顽场。翻转Switching研究揭示了，高速(在25nm厚薄膜的5μm直径电容器中，开关时间约为2ns)和亚纳秒开关的途径。最后，展示了BaTiO3薄膜，在硅衬底上的集成。还讨论了如何将这些材料用于下一代设备。
Enablingultra-low-voltageswitchinginBaTiO3.BaTiO3超低电压翻转图1：BaTiO3薄膜的铁电和结构特性综述。图2：在60mTorr下，生长的BaTiO3薄膜尺寸缩放。图3：在60mTorr下生长的BaTiO3薄膜的开关动力学Switching-dynamics研究。图4：将BaTiO3薄膜集成到SrTiO3/Si衬底上。该项研究，通过脉冲激光沉积合成了，接近“本征”铁电性能的BaTiO3薄膜，克服了这种薄膜性能下降的历史趋势。厚度缩放研究揭示了，低开关电压（mV）和场（10kVcm-1）以及低开关能量（2Jcm-3）。开关动力学研究揭示了快速开关（~2ns）和亚纳秒开关途径。类似地，通过将BaTiO3薄膜集成到硅上，也实现了良好的性能。研究表明，铁电氧化物在低电压、低功耗、超快速、非易失性存储器和逻辑器件中的应用潜力，也许能够超越互补金属氧化物半导体CMOS器件。其中，厚度为25–50nm的BaTiO3薄膜，是此类应用的良好候选者。研究表明，退极化场（来自电极的不完全屏蔽），仍然对最薄的，薄膜构成挑战（由于剩余极化的崩溃），并且需要进一步解决，以实现电子设备中的实际尺寸缩放。需要探索更高载流子密度的氧化物电极，或者设计铁电体和电极之间的界面，以提高铁电稳定性，从而能够将铁电材料结合到下一代器件。文献链接：