数十年来，硅一直是半导体科技的基石，但是许多专家认为硅的发展来到极限，氮化镓（Galliumnitride，简称GaN）有望取而代之。日本政府砸钱相挺，相信以GaN为基础的半导体，将在年代后期上市。
韩媒etnews9月29日报导，自驾车和电动车蓬勃发展，能在极端环境下控制电流的功率半导体备受瞩目。GaN和碳化硅（siliconcarbide，简称SiC）是少数符合此种条件的半导体材料，其中以GaN为基础的功率半导体最受注意，被视为「次世代的功率半导体」。
有鉴于此，日本经产省准备资助日企和大学，发展耗电量更低的次世代半导体，预计明年将拨款2,万美元，未来5年共计斥资8,万美元。日方补助锁定研发GaN材料的企业，GaN半导体能降低耗电。
日本是全球第一个研发GaN的国家，政府鼎力相挺，让在该国全球市场享有竞争优势。半导体材料是日本的强项，日方打算支持相关企业，研发能减少耗电的半导体材料，借此超越对手。日本经产省相信，年代末期，日企将开始供给以GaN为基础的半导体，用于资料中心、家电、汽车等。如果GaN取代现今广泛使用的硅，每年可以减少1,万吨的二氧化碳排放。
GaN的能隙比硅宽，耗电少耐高温
为何各方看好GaN？TheVerge年初报导，英国布里斯托大学（UniversityofBristol）物理学家MartinKuball表示，所有材料都有「能隙」（bandgap），也就是传导电流的能力。GaN的能隙比硅更宽，能承受更高的电压、电流也能更快通过。
正是如此，以GaN为基础的半导体，比会硅半导体更有效率、耗电也较少。哈佛大学博士候选人DanqingWang说：「可以把东西做得很小，或在同一区域塞入更多的GaN，表现却更好。」一旦电力损失减少，不只能缩小充电装置的体积，用电量也更少。Kuball指出，现今的电子产品若全数改用GaN，耗电可望减少10%、甚至25%。
此外，硅无法承受过高温度，汽车内的电子元件必须远离引擎，避免过热。GaN比硅更能承受高温，能去除此一限制，开启汽车设计的无穷可能。