碳化硅元器件的结温必须在~中间转变。在这个环节中，挑戰和艰难是难以避免的。菲利波迪乔瓦尼(FilippoDiGiovanni)觉得，碳化硅的导热能力比硅好，大概是硅的三倍，溶点也更高一些，在上下，而硅的熔点是。因此从其本质上而言，SiC的长久温度比硅要高许多。
他强调，工作中温度关键受处理芯片机壳或封装的限定。“SiC最高值结温的考验取决于封装原材料和安装加工工艺。ST一直很清晰这一点。实际上，ST是业界唯一一家给予TO-国家标准封装的MOSFET的经销商。”他说道。
据他详细介绍，5年以前第一代加工工艺投放量生完孩子，st逐渐给予HiP封装的片SiCMOSFET(与TO-样子同样)。ST也在科学研究让别的封装具备相同的耐温性，以处理碳化硅最高值结温对封装原材料和安装加工工艺的挑戰。
除开元器件自身、封装原材料和安装加工工艺，结温是不是还需要处理别的问题？例如推动、电子器件、排热。
FilippoDiGiovanni表明，推动STPOWERSiCMOSFET与用传统式栅压控制器推动规范MOSFET一样非常容易，虽然二者的栅压阈值电压不一样。在推动规定上，st全新的三代SiC早已十分贴近硅MOSFET。
在配套设施无源元件的应用层面，例如电感器、电容器，及其热管散热器、PCB的安裝，都能够依据顾客自身的需要来完成，由于ST的最后商品一直依据用户的主要规定来生产加工制作的。他说道，“例如，大家的STPAK封装通过银解决，因而顾客可以将其组装在银煅烧热管散热器上，进而提高热触碰性能和商品稳定性。”
菲利浦迪乔瓦尼(FilippoDiGiovanni)觉得，在新的运用概率层面，的半导体材料工作中温度将有利于在没有危害处理芯片性能的情形下减少排热成本费。也就是说，最高值温度越高，给顾客提供的优势就越大。
最终他说道，“ST相信碳化硅的将来是光辉的。大家预估，在十分重视能耗等级的新能源电动车(EV)和高档工业生产应用商店，碳化硅的利用率将持续保持。大家将再次开发设计梯度下降法商品。产品的性能，即更高的功率，会减少输出功率变换的总体耗损。更新到8英尺圆晶生产流水线也将提升性能，使其具有诱惑力。”