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杂质在硅晶体中的溶解度
文章提到了杂质半导体，掺入杂质种类的不同（杂质在硅晶体中的存在类型）会影响最终得到的半导体类型。其实掺入杂质的数量（杂质在硅晶体中的溶解度）也会有对其有影响。
本文主要介绍杂质在硅晶体中的溶解度
在工艺制造中，对于掺入的杂质不仅要考虑类型还要考虑量。比如，是否能将同一种元素原子无限掺入硅晶体中，掺入量的多少对于硅晶体的结构和物理性质会有怎样的改变，掺入量与掺入速度之间是相互独立的还是互相关联，这些问题都值得考究。
把某元素引入硅晶体形成的晶体叫做固溶体，固溶体的特点就是会保持硅晶体的晶体结构。需要注意的是，固溶体并不仅仅针对硅晶体单独存在，对于其他的晶体也有同样的定义
一般将引入的元素A称作溶质，另一种元素晶体B是溶剂，当引入元素A的浓度在阈值之内时，元素晶体B的晶体结构是不会改变的，这个阈值就是元素A（杂质）在元素晶体B中的固溶度，也可以说是A在B中的最大溶解度。
按照溶质在溶剂中的存在形式,固溶体又分为两类，接下来进行详细介绍
在杂质在硅晶体中的固溶度一图中可以看到，固溶度与温度的变化不呈比例关系，在阈值温度之前，固溶度会随着温度的升高而增大，当温度到达某一阈值即接近硅熔点时，由图像可以看出，横坐标上的杂质浓度急剧减小，即固溶度迅速减小，也被称为固溶度的退化。不仅如此，由该图像还可以看到，在阈值温度之下，很宽的范围内固溶度，随温度的变化并不是很大。