集微网消息，6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司在汾湖高新区举行量产暨研发楼奠基仪式。英诺赛科苏州一期项目预计投资80亿元人民币，年完成厂房建设及设备搬入，即日起开始大规模量产，成为世界上第一家实现8英寸硅基氮化镓量产的企业。投产后产能将逐步爬坡，年底产能可达片/月，年底项目全部达产后苏州工厂将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，预计年产值亿元，利税超15亿元。
上海市政府副秘书长、市发改委主任、长三角一体化示范区执委会主任华源，英诺赛科董事长骆薇薇，苏州市人大常委会副主任沈国芳，吴江区委书记李铭，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武，长三角一体化示范区执委会副主任、江苏省发展改革委员会副主任唐晓东，苏州市工业和信息化局局长万利，英诺赛科总经理孙在亨，吴江区委常委、汾湖高新区党工委书记、管委会主任张炳高，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，吴江区委常委、副区长钱宇，韩国SK集团大中华区总裁吴作义，招银国际首席投资官王红波等嘉宾共同开启量产仪式，伴随着礼炮齐鸣、礼花绽放，英诺赛科跨入发展新阶段。
量产代表着企业迈上了高速行驶的快车道，研发则是企业前行的基础。与量产仪式一同举行的还有“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式，以及研发楼奠基仪式。凭借雄厚的科研实力及先进的技术水平，英诺赛科被国家四部委(发改委、工信部、财政部、海关总署)列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目；同时，作为苏州市独角兽培育企业，英诺赛科承担了多个国家部委及省相关部门的重点研发项目，研发楼的奠基，预示着未来将有更多创新成果在此诞生。
英诺赛科总经理孙在亨指出，半导体硅材料在经过70多年的开发后，已经接近其材料极限，而氮化镓则具备未来产业发展所需的特性。在过去两年中，基于氮化镓的市场应用取得了很多突破，开始在消费电子、工业、汽车等市场全方位地渗透，尤其在快充、激光雷达、手机、5G、新能源汽车、无线充电和数据中心等领域发挥出巨大的潜能。“我毫不怀疑基于氮化镓的应用将是半导体未来十年增长最快的领域。”孙在亨强调，“随着英诺赛科苏州工厂的成功量产，我们已经做好了全面准备去迎接氮化镓时代的到来。”
国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武表示，英诺赛科量产暨研发楼奠基，是中国在化合物半导体领域的重要里程碑。“我国化合物半导体产业正处于逐渐发展的阶段，需要产业链和社会各方的支持和协作，尤其在当前复杂的国际形势背景下，国内半导体产业在前所未有的市场机遇下更是面临严峻的发展形势，国内企业包括英诺赛科在内如何在这样的挑战下如何实现更好的发展是值得思考的问题。”丁文武表示，“英诺赛科在氮化镓领域取得了不俗的成绩，公司今后应不断创新组织、全心部署将化合物半导体做得更好，不仅为当地经济发展做出贡献，也为国家氮化镓产业乃至化合物半导体产业发展做出新的更大的贡献。”
招银国际首席投资官王红波表示，作为全球首条规模量产的氮化镓IDM生产线，英诺赛科以其里程碑的突破改变和引领了全球第三大半导体的发展，相信氮化镓的意义和价值会在未来不断地被发掘。“作为英诺赛科最早的投资人，招银国际从‘一张PPT’就开始投资，对于一个管理千亿级规模的投资人而言，我们的价值不在于精明的累积财富，而在于把资源配置给最优秀的企业家，然后和他们一起改变世界。”王红波指出，“今天的成功量产是值得我们骄傲的时刻，同时也要感谢在对英诺赛科的投资过程中给与大力支持的政府以及产业上下游的合作伙伴。第三代半导体产业的发展才刚刚开始，需要所有产业所有的合作伙伴携手开拓生态，共创未来。”
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲表示，中国对碳达峰、碳中和的郑重承诺，建立以新能源为主体的新型电力系统使第三代半导体释放出巨大市场潜力和强大发展动力。“英诺赛科8英寸硅基氮化镓的量产走在了世界的前列，但是国家化合物半导体，特别是第三代半导体的发展路途还很漫长，在功率半导体包括碳化硅、衬底等未来颠覆性技术与国际的差距仍然很大，研发体系和产业生态都有很大的问题。”吴玲强调，“十四五规划明确提出了集成电路、碳化硅、氮化镓等重点发展领域，也希望英诺赛科在将来发挥龙头作用带动产业发展，为人类绿色低碳可持续发展和未来美好生活贡献力量。”
英诺赛科（苏州）半导体有限公司成立于年10月，注册资本27亿元，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高科技企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，产品涵盖30-V功率半导体器件、IC及射频RF器件，是全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的公司。截止目前，公司员工超名，国内外核心专利申请超项。