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这次研究科学家们从理论上预测该材料将具有高导热性，随后的工作通过实验证明了这一预测。这项最新的研究通过实验证实了科学家们之前做出的一个预测，完成了分析，“立方砷化硼对电子和空穴也具有非常高的迁移率，这使得这种材料非常独特。早期的实验表明，立方砷化硼的热导率几乎是硅的10倍，所以，散热对于它来说根本不是问题。”
新的工作填补了这一空白，表明砷化硼具有理想半导体所需的所有主要品质，具有电子和空穴的高迁移率。科学家们说：“这很重要，因为在半导体中，正电荷和负电荷是相等的。因此，如果你制造一个器件，你需要一种电子和空穴都具有较小电阻的材料。”